原标题：Soitec SmartSiC 晶圆加速 SiC 在电动汽车中的采用

Soitec的SmartSiC晶圆技术正在加速碳化硅（SiC）在电动汽车中的采用。以下是对该技术的详细解析：

1. 技术背景与优势：

• SiC是一种宽带隙半导体，被视为电动汽车的技术加速器。它可以提高电子系统的功率密度，同时有助于减小汽车的整体尺寸、重量和成本[1]。

• SmartSiC是Soitec的专有技术，基于其专有的SmartCut工艺改编而来，该技术将非常薄的高质量SiC层粘合到电阻率非常低的多晶硅晶片上[1]。

• 与传统的块状SiC相比，SmartSiC衬底具有更高的供体晶圆可重复使用性、更高的产量和更小的芯片尺寸，从而实现更高水平的性能和能源效率[1]。

2. 市场需求与应用：

• 随着电动汽车市场的快速发展，对碳化硅衬底的需求也经历了巨大的增长。这主要是因为SiC解决方案可以带来约5-10%的效率提升，在电动汽车的逆变器中采用SiC可以使得更多的电力被输送到电机，减少在直流-交流电力转换过程中的浪费[2]。

• 鉴于SiC衬底的稀缺性和成本问题，Soitec的SmartSiC产品成为了市场上讨论的热点，其通过高效重复利用单晶SiC供体，实现了200mm晶圆的环保、高效生产，显著提升了生产良率和功率密度[3]。

1. 环境影响与可持续性：

• SmartSiC技术还体现了环保理念。每片SmartSiC晶圆可以减少高达70%的碳排放量，使其更为环保[4]。

• 通过重复利用稀缺的200mm单晶供体，SmartSiC技术有助于这些大尺寸衬底的快速落地应用，并促进市场的增长[4]。

2. 产能与市场布局：

• Soitec通过收购NovaSiC增强了SiC晶圆的生产能力，并推进了150mm和200mm生产线的建设。预计到2030年，其年产能将达到每年100万片，其中200mm晶圆将起到关键作用，优化资源利用并加速市场应用步伐[3]。

综上所述，Soitec的SmartSiC晶圆技术不仅提升了资源利用率和能效，还为电动汽车的高效发展提供了强有力的支撑，有望推动电动汽车行业迈向更绿色、更高效的发展阶段[3]。