原标题：意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

意法半导体（简称ST）与Soitec之间的合作开发碳化硅（SiC）衬底制造技术是一项具有战略意义的合作项目。以下是关于这次合作的详细概述：

1. 合作背景与目标：

• 意法半导体与Soitec宣布了下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作计划。

• 此次合作的主要目标是意法半导体采用Soitec的SmartSiC技术制造未来的8英寸碳化硅衬底，从而推动公司的碳化硅器件和模块制造业务，并在中期实现量产。

2. 碳化硅（SiC）衬底的重要性：

• 碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，尤其在电动汽车和工业制程领域重要的高增长功率应用中，碳化硅材料的固有性质使得碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体。

• 碳化硅能实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计，并节省整体系统设计成本，这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。

1. 技术细节与优势：

• SmartSiC是Soitec的专有技术，基于其专有的SmartCut技术。该技术从高质量碳化硅供体晶圆上切下一个薄层，然后将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆片表面。这样加工后的衬底可有效提高芯片的性能和制造良率。

• 优质的碳化硅供体晶圆可以多次重复使用，因此可以大幅降低供体加工的总能耗。

• 从6英寸晶圆升级到8英寸晶圆，可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍，每个晶圆上的有效出片量达到升级前的1.8-1.9倍，从而大幅增加产能。

2. 投资与产能规划：

• 意法半导体计划在意大利建造一座价值7.3亿欧元（约合人民币50.28亿元）的衬底项目，预计年产超过37万片，借此实现40%碳化硅衬底的自主供应。

• 这项为期五年的投资将于2026年完成，并得到意大利2.925亿欧元的公共资金的支持，作为该国国家恢复和复原计划的一部分，并获得欧盟委员会的批准。

3. 市场影响：

• 此次合作标志着碳化硅技术的进一步成熟和广泛应用，将对电动汽车和工业领域产生深远影响。

• 碳化硅衬底的大规模生产将促进碳化硅器件的普及和成本的降低，进一步推动电动汽车和工业系统的电气化进程。

综上所述，意法半导体与Soitec的合作开发碳化硅衬底制造技术是一项具有深远影响的项目，将推动碳化硅技术的发展和应用，为电动汽车和工业系统的电气化进程提供有力支持。