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2021-04
等长对于SCD这个参数有何影响？
等长对于SCD（Signal Conditioning Device，信号调理装置或可能指其他与信号完整性相关的参数，具体根据上下文而定，这里假设为与信号完整性相关的参数）参数的影响主要体现在信号传输的完整性上，特别是在高速数字电路中。以下是对等长影响SCD参数的详细分析：一、等长对信号完整性的影响时序一致性：在高速数字电路中，信号的时序......
2021-04
STM32单片机的堆栈深入解析
堆栈是内存中一段连续的存储区域，用于保存一些临时数据。在STM32单片机中，堆栈扮演着至关重要的角色，以下是对STM32单片机堆栈的深入解析：一、堆栈的基本概念定义：堆栈（Stack）是一种后进先出（LIFO）的数据结构，用于存储函数调用过程中的局部变量、返回地址以及其他与函数调用相关的信息。操作指令：堆栈操作由PUSH（压栈）和POP（......
2021-04
工程师PCB设计中的14个常见错误
在PCB（印制电路板）设计中，工程师可能会遇到多种常见错误。这些错误可能会影响电路板的性能、可靠性和制造成本。以下是工程师在PCB设计中可能遇到的14个常见错误：一、原理图设计错误ERC报告管脚没有接入信号：可能原因：创建封装时给管脚定义了I/O属性，但元件或放置元件时修改了不一致的grid属性，导致管脚与线没有连上；或者创建元件时pin......
2021-04
工程师如何挑选合适的稳压器
工程师在挑选合适的稳压器时，需要考虑多个因素以确保选择的稳压器能够满足设备的需求和工作环境。以下是一些关键步骤和考虑因素：一、明确应用场景和需求了解稳压器的用途：稳压器主要用于调节电流和电压输出，确保设备在稳定的电压下工作。确定稳压器是用于部分设备还是整个用电系统的稳压。确定设备功率或系统容量：需要了解要稳压的设备功率或整个用电系统变压器......
2021-04
如何减少变压器对放大器的干扰
要减少变压器对放大器的干扰，可以从以下几个方面入手：一、加强屏蔽措施法拉第静电屏蔽：对音响用电源变压器的绕组加法拉第静电屏蔽，可以切断绕组间的静电场及容性偶合，隔离和共模抑制由此产生的干扰，避免将电网或电路中的共模电压偶合到次级或初级中去。这种屏蔽可以是层间交替的铜箔，也可以是完整的合状结构，对绕组（尤其是对初级的绕组）包围得越多，共模抑......
2021-04
电容器的漏电测试
电容器的漏电测试是确保其性能和质量的重要环节。以下是对电容器漏电测试的详细分析：一、测试目的电容器漏电测试的主要目的是检测电容器是否存在漏电现象，以及漏电程度是否在规定范围内。这有助于及时发现电容器潜在的故障，确保其在实际应用中能够正常工作。二、测试方法使用万用表：将万用表调至电阻档位，测量并记录电容器的初始电阻值。将电容器正极接通电源，......
2021-04
瞬变电压抑制二极管(TVS)的特性及其参数
瞬变电压抑制二极管（TVS），也被称为瞬态电压抑制器，是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件。以下是对TVS二极管的特性及其参数的详细介绍：一、TVS二极管的特性高响应速度：TVS二极管具有非常快的响应速度，通常小于1ps（10^-12秒），可以快速接地或击穿以吸收来自电源或任何其他外部干扰源的过电压脉冲。高能量耗散能力：TV......
2021-04
详细分析MOSFET开关过程米勒效应的影响
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的开关过程中，米勒效应（Miller Effect）是一个重要的影响因素。以下是对米勒效应在MOSFET开关过程中的详细分析：一、米勒效应概述米勒效应是指MOSFET输入输出之间的分布电容（栅漏电容Cgd）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。这种效应会导致MOSFET栅极驱动过程中形......
2021-04
电动汽车用的几种蓄电池技术
电动汽车目前采用的蓄电池技术主要包括以下几种：一、铅酸蓄电池原理：铅酸蓄电池的正极活性物质为二氧化铅，负极活性物质为海绵状铅，并以硫酸溶液为电解液。分类：铅酸蓄电池分为免维护铅酸蓄电池和阀控密封式铅酸蓄电池。免维护铅酸蓄电池的电解液消耗量非常小，使用寿命长，耐振、耐高温、体积小、自放电小。阀控密封式铅酸蓄电池为密封结构，不会漏酸，也不会排......
2021-04
PCB布线模拟电路与数字电路部分
在PCB布线中，模拟电路与数字电路部分各自具有独特的特点和要求，同时两者在混合布线时也需要特别注意一些事项。以下是对这两部分布线的详细分析：一、模拟电路布线特点元件布局：模拟电路元件的布局应尽量紧凑，以减少信号传输路径上的损耗和干扰。敏感模拟信号走线应尽量短，以降低信号衰减和噪声干扰。布线规则：模拟信号线应避免与高频数字信号线平行走线，以......
2021-03
新产品MM32L052PF可完全替代STM32F042C6T6
新产品MM32L052PF确实可以完全替代STM32F042C6T6，以下是对这两款产品的详细对比以及MM32L052PF的详细介绍：一、产品对比项目MM32L052PFSTM32F042C6T6内核ARM®Cortex®-M0ARM Cortex-M0工作频率48MHz-存储器高达128K字节的闪存程序存储器，高达8K字节的SRAM-封......
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类别：技术信息
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