原标题：STM32L0芯片FLASH编程简单演示

以下是对STM32L0芯片FLASH编程的简单演示：

一、FLASH编程基础

FLASH编程通常包括擦除、代码编程和Option字修改操作。STM32L0芯片的FLASH编程特性如下：

• 支持全片擦除和页擦除，页擦除时每页的大小为128Bytes（即32个字）。

• 编程可以按字或按半页（64Bytes）进行。

• 单页擦除、单字编程以及半页编程的时间大致相同，约为3.2ms。

二、编程注意事项

1. 地址对齐：

• 页擦除时地址要128字节对齐。

• 字编程注意4字节对齐。

• 半页编程时注意64字节对齐。

2. 执行代码位置：做半页编程时，半页编程的执行代码需要放到RAM里进行。

三、编程操作演示

以下基于STM32Cube库来演示字编程、半页编程和页擦除的操作：

1. 字编程：

• 以字编程模式写入数据。

• 写入的数据会存储在指定的FLASH地址中。

2. 半页编程：

• 以半页编程模式写入数据。

• 由于半页编程的执行代码需要放到RAM里进行，因此需要确保有足够的RAM空间来存储和执行这些代码。

• 写入的数据同样会存储在指定的FLASH地址中，且每次写入的数据量为64Bytes。

3. 页擦除：

• 在完成半页编程后，可以选择擦除其中的一页。

• 页擦除操作会删除指定页中的所有数据，使其变为全0。

四、编程实例

以下是一个简单的编程实例，用于演示如何在STM32L0芯片上进行FLASH编程：

1. 初始化：

• 解锁FLASH控制器，以确保可以进行编程操作。

• 检查FLASH的状态寄存器，以确保没有其他正在进行的编程操作。

2. 字编程：

• 设置FLASH控制器的编程位。

• 在指定的地址写入要编程的字（4Bytes）。

• 等待编程操作完成。

• 验证写入的数据是否正确。

3. 半页编程：

• 将半页编程的执行代码配置到RAM中。

• 设置FLASH控制器的编程位。

• 在指定的地址写入要编程的半页数据（64Bytes）。

• 等待编程操作完成。

• 验证写入的数据是否正确。

4. 页擦除：

• 设置FLASH控制器的擦除位。

• 选择要擦除的页。

• 启动擦除操作。

• 等待擦除操作完成。

• 验证被擦除的页是否已变为全0。

5. 锁定FLASH控制器：在完成所有编程操作后，锁定FLASH控制器以防止未经授权的写入操作。

请注意，以上仅为简单的演示流程，并未包含详细的代码实现。在实际应用中，需要根据具体的硬件和软件环境来编写相应的代码。同时，还需要注意对FLASH的保护和恢复操作，以确保数据的完整性和可靠性。