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沉积设备
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本发明包括可在原子层沉积或化学气相沉积期间利用的沉积方法和设备.在半导体衬底堆叠与前驱物入口之间提供加热表面,且所述加热表面经配置以使得成问题的副反应发生在紧靠所述加热表面处而非在紧靠所述半导体衬底处.所述前驱物入口可以是多个前驱物入口中的一者,且所述加热表面可以是多个加热表面中的一者.

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