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EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。 根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高的光刻分辨率。换个角度讲，使用193i与EUV光刻机曝同一个图形，EUV的工艺的k1因子要比193i大。k1越大对应的光刻工艺就越容易；k1的极限是0.25，小于0.25的光刻工艺是不可能的。从32nm半周期节点开始（对应20nm逻辑节点），即使使用1.35NA的193nm浸没式光刻机，k1因子也小于0.25。一次曝光无法分辨32nm半周期的图形，必须使用双重光刻技术。使用0.32NA的EUV光刻，即使是11nm半周期的图形，k1仍然可以大于0.25。