原标题：美光科技将引入极紫外光刻机，2024 年部署到部分工艺节点

美光科技将引入极紫外光刻机，并计划在2024年部署到部分工艺节点的消息，是基于其长期技术发展规划和市场需求做出的重要决策。以下是对此消息的详细解读：

一、背景与计划

1. 技术背景：极紫外光刻机（EUV光刻机）是半导体制造领域的一项先进技术，它以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源，可用于制造14纳米及以下的先进制程芯片。这项技术对于提高芯片的性能、降低功耗和缩小芯片尺寸具有重要意义。

2. 美光科技的计划：美光科技作为存储行业的巨头，一直在关注极紫外光刻机的进展。据公开信息，美光科技CEO兼总裁Sanjay Mehrotra曾在财报分析师电话会议上透露，美光科技计划2024年在部分工艺节点部署极紫外光刻机，并随后扩大到更多工艺节点。

二、部署与进展

1. 部署时间：美光科技计划在2024年完成极紫外光刻机在部分工艺节点的部署。这一时间点标志着美光科技在先进制程技术上的重要一步。

2. 试产与量产：根据Technews的报道，美光科技计划在2024年开始采用EUV技术在其1γ（1-gamma）工艺上进行试验性生产。这一工艺技术预计将在2025年进入大规模量产阶段。目前，美光所有大规模生产的产品仍采用DUV（深紫外线光刻）技术。

三、市场与技术影响

1. 市场需求：随着人工智能（AI）等领域对高性能存储芯片的需求日益增长，美光科技引入极紫外光刻机并部署到部分工艺节点，将有助于提高芯片的性能和满足市场需求。

2. 技术竞争：在半导体制造领域，技术竞争日益激烈。美光科技引入极紫外光刻机，将使其在先进制程技术上与三星、SK海力士等竞争对手保持同步或领先。

四、总结与展望

美光科技引入极紫外光刻机并计划在2024年部署到部分工艺节点，是其技术发展规划和市场需求的重要体现。随着极紫外光刻机的部署和试产，美光科技有望在先进制程技术上取得重要突破，并进一步提高其在存储行业的竞争力。同时，这也将促进整个半导体制造领域的技术进步和产业升级。

综上所述，美光科技引入极紫外光刻机并部署到部分工艺节点的决策，是基于其长期技术发展规划和市场需求做出的明智选择。随着这一计划的实施和推进，美光科技有望在半导体制造领域取得更加显著的成就。