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DS1248 1024k NV SRAM，带有隐含时钟
DS1248 1024k NV SRAM，带有隐含时钟
一、引言DS1248 1024k NV SRAM是一款集成了非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）和实时时钟（RTC）功能的芯片。它不仅具备大容量存储能力，还内置了高精度的实时时钟，为各种需要数据存储和时间跟踪的应用提供了理想的解决方案。本文将对DS1248 1024k NV SRAM的各个方面进行详细介绍，包括其基本特性、工作原理......
DS12... 1024...
2025-04-15
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DS3232超高精度、I²C RTC，集成晶体和SRAM
DS3232超高精度、I²C RTC，集成晶体和SRAM
　　一、概述　　DS3232是一款超高精度实时时钟（RTC）芯片，采用I²C串行接口通信，其主要特点在于内置温度补偿振荡器、集成高精度晶体以及一段专用的SRAM存储器。作为一种常用于嵌入式系统、仪表设备、汽车电子和通信终端中的时钟解决方案，DS3232以其优异的精度和稳定性深受工程师青睐。本文将从DS3232的背景、主要特点、技术细节以及......
DS32...
2025-04-14
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DS3232M ±5ppm、内置SRAM的I²C实时时钟
DS3232M ±5ppm、内置SRAM的I²C实时时钟
　　一、器件概述与背景介绍　　DS3232M是一款具有高精度±5ppm温度补偿实时时钟（RTC），集成了内置SRAM存储器，其通过I²C总线与主控芯片进行数据通信。相较于传统的实时时钟器件，DS3232M利用温补晶振实现极高的稳定性和准确性，因此在对时间精度要求较高的场合，如计时设备、数据记录、工业控制、通信设备和测量仪器中具有较大优势。......
DS32... 实时时钟
2025-04-14
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DS1250Y 4096k非易失SRAM
DS1250Y 4096k非易失SRAM
　　产品概述　　DS1250Y 4096k 非易失 SRAM 是一款具有高性能与高可靠性的存储器产品，它在传统的静态随机存取存储器（SRAM）基础上，融合了非易失性功能，使得系统在断电情况下依然能够保存关键信息。该器件利用先进工艺实现了数据的快速存取与稳定保持，在保持高速读写能力的同时，还提供了长时间数据备份的能力。作为一款 4096......
DS12... 4096...
2025-04-14
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DS1250AB 4096k非易失SRAM
DS1250AB 4096k非易失SRAM
　　DS1250AB 4096k非易失SRAM详解　　本文将详细介绍DS1250AB 4096k非易失SRAM的各项内容，涵盖产品概述、技术指标、内部结构、工作原理、接口特性、时序分析、电气特性、非易失技术、应用场景、市场比较以及未来发展趋势等多个方面。　　产品详情　　DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静......
DS12... 4096...
2025-04-14
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DS1245Y 1024k非易失SRAM
DS1245Y 1024k非易失SRAM
　　一、引言　　在现代电子系统中，存储器件始终扮演着至关重要的角色。随着技术的不断进步，存储器件不仅需要满足高速读写、低功耗以及高集成度等要求，同时还要求在断电后能够长时间保存数据，这就催生了非易失性存储器（Nonvolatile Memory, NVM）的不断发展。DS1245Y 1024k非易失SRAM正是在这种背景下出现的一款具......
DS12... 1024...
2025-04-14
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DS1245AB 1024k非易失SRAM
DS1245AB 1024k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1245AB 1024K非易失SRAM是一款融合了高性能、低功耗、非易失性存储器技术的创新型存储芯片。该产品集成了静态随机存取存储器（SRAM）与非易失性存储功能，在断电状态下能够保持数据，既满足高速数据访问的要求，又提供断电保护机制。由于其独特的技术优势和可靠性，在现代电子系统设计中被广泛应用于通讯、计算机、工......
DS12... 1024...
2025-04-14
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DS1230Y 256k非易失SRAM
DS1230Y 256k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1230Y是一款具有256k容量的非易失性静态随机存取存储器（SRAM），采用先进工艺制造，具备高速读写和高数据稳定性的特性。作为一种融合了易失性存储器快速访问速度与非易失性存储器数据保持优势的产品，DS1230Y在许多需要可靠数据保存与快速响应的应用场景中得到了广泛应用。该器件不仅能够在断电后自动保存数据，而且通......
DS12... 256k...
2025-04-14
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DS1230AB 256k非易失SRAM
DS1230AB 256k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1230AB 256k非易失SRAM是一种结合了高速随机存取存储器和非易失性数据保持技术的先进存储产品。该器件在存储高速数据和在断电情况下依然能保持数据信息方面具备独特优势。由于采用了新型非易失技术，DS1230AB能够满足工业控制、嵌入式系统、汽车电子以及消费类电子产品等多个领域对高速与稳定存储的要求。同时，其......
DS12... 256k...
2025-04-11
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DS1225AD 64k非易失SRAM
DS1225AD 64k非易失SRAM
　　产品概述　　DS1225AD 64K非易失SRAM是一款集高速存储与数据保持功能于一体的创新型存储器件。它采用了先进的CMOS工艺制造，既具备传统SRAM的高速读写特性，又融合了非易失技术，实现断电后数据的长时间保持。该产品主要应用于对数据丢失容忍度极低的领域，如嵌入式系统、工业控制、网络通信、汽车电子等。凭借其独特的设计理念和优越......
DS12... 64k非...
2025-04-11
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DS1225AB 64k非易失SRAM
DS1225AB 64k非易失SRAM
　　一、概述　　DS1225AB 64k非易失SRAM 是一种高性能非易失性随机存储器，兼具高速读写和长时数据保持的优点。作为嵌入式系统和工业控制领域中重要的存储解决方案，其在数据安全、低功耗以及高可靠性方面表现出色。本文将详细介绍该芯片的设计原理、技术参数、实际应用和未来发展趋势，力求为相关工程师和技术人员提供一份全面而深刻的技术文档......
DS12... 64k非...
2025-04-11
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DS1220AD 16k非易失SRAM
DS1220AD 16k非易失SRAM
　　一、引言　　随着嵌入式系统、工业控制、通信设备等领域对高速数据存取和数据可靠性要求的不断提高，半导体存储器技术在不断革新中扮演着举足轻重的角色。DS1220AD 16K非易失SRAM作为一种集高速、低功耗及数据持久性于一体的存储器件，逐渐成为工程师们关注和应用的热门产品。本文将从DS1220AD芯片的基本结构、工作原理、设计特点、系......
DS12... 16k非...
2025-04-11
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DS1220AB 16k非易失SRAM
DS1220AB 16k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1220AB是一款由知名半导体厂商生产的16K非易失性静态随机存储器（SRAM），它结合了SRAM高速数据读写特性和非易失性存储器的数据保持功能。该器件通常采用先进的集成电路工艺生产，其主要优势在于既具有SRAM的高速访问能力，又在断电情况下能保持数据完整性，适用于对数据可靠性要求较高的应用场景。　　DS1220A......
DS12... 16k非...
2025-04-11
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DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器
　　一、产品概述与背景　　DS1350W是一款采用3.3V工作电压的非易失性静态随机存取存储器（SRAM），其存储容量高达4096K位。该芯片在设计时充分考虑了实际应用环境中的数据保持问题，集成了电池监测器以保证在断电情况下数据的长期保存和实时监控电池状态。随着嵌入式系统、工业控制、汽车电子以及通信设备不断向高稳定性和长时效存储方案需求演......
DS13... 4096... 电池监测...
2025-04-11
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DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器
　　一、产品概述与背景　　DS1345W是一款专为高端嵌入式系统设计的3.3V非易失性SRAM芯片，内置高达1024k的存储容量，支持数据在断电状态下保持不丢失。这款芯片除了采用先进的低功耗设计和高可靠性制造工艺外，还集成了电池监测器功能，可以实时检测外部备用电池的状态，从而保障系统在电源切换或电压不足情况下稳定运行。　　在嵌入式系统、工......
S134... 1024... 电池监测...
2025-04-11
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DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
　　一、引言　　在当今信息时代，数据的可靠存储与快速访问始终是各类电子系统设计的重要考量。存储器作为电子系统中不可或缺的组成部分，其性能与可靠性直接影响整个系统的稳定性和用户体验。DS1330W作为一款采用3.3V供电、具有256K存储容量的非易失性SRAM产品，不仅拥有高速读写能力，而且集成了电池监测器功能，为系统提供了极高的数据安全保......
DS13... 256k... 电池监测...
2025-04-11
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DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM 是一种集高速存取、高可靠性以及非易失性特性于一体的存储器件。随着电子信息技术飞速发展和工业应用场景对数据可靠性的不断提升，该产品正逐步在军事、航天、汽车、工业自动化、通讯系统和消费电子等多个领域显示出不可替代的重要作用。本文将对该存储器件的基本原理、技术特点及相关应......
DS12... 4096...
2025-04-11
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DS1245W 3.3V、1024k非易失SRAM
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1. 概述DS1245W是一款由Maxim Integrated（现为Analog Devices的一部分）推出的3.3V 1024k（1Mbit）非易失性SRAM（NVSRAM）。它在掉电时仍能保存数据，不需要外部电池支持，广泛应用于嵌入式系统、工业控制、数据记录仪和通信设备等领域。DS1245W采用SRAM和非易失存储技术结合的方式，......
DS12... 1024...
2025-04-11
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DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
一、DS1230W简介DS1230W是一款由Dallas Semiconductor（现为Maxim Integrated的一部分）推出的3.3V工作电压、256K容量的非易失性SRAM（静态随机存取存储器）。这款芯片结合了静态RAM（SRAM）和内置电池，能够在主电源关闭时仍然保持数据。这种非易失性特性使其在许多应用中都十分受欢迎，特别......
DS12... 256k...
2025-04-11
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DS1345Y 1024k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1345Y 1024k非易失SRAM，带有电池监测器
　　产品概述　　DS1345Y是一款具有1024K容量的非易失性SRAM芯片，其独特之处在于内部集成了电池监测器，为系统提供了可靠的电源管理能力。该器件采用先进的半导体工艺，具有高速度、低功耗和超高可靠性等特点，在现代电子设备、嵌入式系统以及需要数据保持的特殊应用中得到了广泛应用。DS1345Y主要面向工业自动化、通信、汽车电子以及医疗设......
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2025-04-11
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