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256k非易失SRAM
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DS1230Y 256k非易失SRAM
DS1230Y 256k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1230Y是一款具有256k容量的非易失性静态随机存取存储器（SRAM），采用先进工艺制造，具备高速读写和高数据稳定性的特性。作为一种融合了易失性存储器快速访问速度与非易失性存储器数据保持优势的产品，DS1230Y在许多需要可靠数据保存与快速响应的应用场景中得到了广泛应用。该器件不仅能够在断电后自动保存数据，而且通......
DS12... 256k...
2025-04-14
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DS1230AB 256k非易失SRAM
DS1230AB 256k非易失SRAM
　　一、产品概述　　DS1230AB 256k非易失SRAM是一种结合了高速随机存取存储器和非易失性数据保持技术的先进存储产品。该器件在存储高速数据和在断电情况下依然能保持数据信息方面具备独特优势。由于采用了新型非易失技术，DS1230AB能够满足工业控制、嵌入式系统、汽车电子以及消费类电子产品等多个领域对高速与稳定存储的要求。同时，其......
DS12... 256k...
2025-04-11
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DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
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　　一、引言　　在当今信息时代，数据的可靠存储与快速访问始终是各类电子系统设计的重要考量。存储器作为电子系统中不可或缺的组成部分，其性能与可靠性直接影响整个系统的稳定性和用户体验。DS1330W作为一款采用3.3V供电、具有256K存储容量的非易失性SRAM产品，不仅拥有高速读写能力，而且集成了电池监测器功能，为系统提供了极高的数据安全保......
DS13... 256k... 电池监测...
2025-04-11
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DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
一、DS1230W简介DS1230W是一款由Dallas Semiconductor（现为Maxim Integrated的一部分）推出的3.3V工作电压、256K容量的非易失性SRAM（静态随机存取存储器）。这款芯片结合了静态RAM（SRAM）和内置电池，能够在主电源关闭时仍然保持数据。这种非易失性特性使其在许多应用中都十分受欢迎，特别......
DS12... 256k...
2025-04-11
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DS1330Y 256k非易失SRAM，带有电池监控器
DS1330Y 256k非易失SRAM，带有电池监控器
　　一、产品概述　　DS1330Y是一款容量为256K的非易失性SRAM芯片，其最大特点在于结合了内置电池监控器，使得在外部电源断电的情况下，存储的数据依然可以依靠备用电池而不丢失。该产品兼顾了高速读写性能和数据长期保存的双重需求，适用于对数据稳定性要求极高的应用场景。　　芯片在设计上充分考虑了外部环境电源波动、温度变化以及多种干扰因素的......
DS13... 256k... 电池监控...
2025-04-11
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DS1330AB 256k非易失SRAM，带有电池监控器
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　　一、DS1330AB的背景与发展概述　　在现代电子系统中，存储器件扮演着至关重要的角色。随着数据储存需求的不断增长以及对系统可靠性要求的提升，各类存储技术也不断推陈出新。DS1330AB就是其中一款极具代表性的存储器件。它是一款256K非易失性SRAM，具备电池监控功能。所谓非易失性SRAM，是指在断电情况下，由于内置电池备份机制依然......
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2025-04-11
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