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电池监测器
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DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监测器
　　一、产品概述与背景　　DS1350W是一款采用3.3V工作电压的非易失性静态随机存取存储器（SRAM），其存储容量高达4096K位。该芯片在设计时充分考虑了实际应用环境中的数据保持问题，集成了电池监测器以保证在断电情况下数据的长期保存和实时监控电池状态。随着嵌入式系统、工业控制、汽车电子以及通信设备不断向高稳定性和长时效存储方案需求演......
DS13... 4096... 电池监测...
2025-04-11
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DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器
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　　一、产品概述与背景　　DS1345W是一款专为高端嵌入式系统设计的3.3V非易失性SRAM芯片，内置高达1024k的存储容量，支持数据在断电状态下保持不丢失。这款芯片除了采用先进的低功耗设计和高可靠性制造工艺外，还集成了电池监测器功能，可以实时检测外部备用电池的状态，从而保障系统在电源切换或电压不足情况下稳定运行。　　在嵌入式系统、工......
S134... 1024... 电池监测...
2025-04-11
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DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
　　一、引言　　在当今信息时代，数据的可靠存储与快速访问始终是各类电子系统设计的重要考量。存储器作为电子系统中不可或缺的组成部分，其性能与可靠性直接影响整个系统的稳定性和用户体验。DS1330W作为一款采用3.3V供电、具有256K存储容量的非易失性SRAM产品，不仅拥有高速读写能力，而且集成了电池监测器功能，为系统提供了极高的数据安全保......
DS13... 256k... 电池监测...
2025-04-11
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DS1345Y 1024k非易失SRAM，带有电池监测器
DS1345Y 1024k非易失SRAM，带有电池监测器
　　产品概述　　DS1345Y是一款具有1024K容量的非易失性SRAM芯片，其独特之处在于内部集成了电池监测器，为系统提供了可靠的电源管理能力。该器件采用先进的半导体工艺，具有高速度、低功耗和超高可靠性等特点，在现代电子设备、嵌入式系统以及需要数据保持的特殊应用中得到了广泛应用。DS1345Y主要面向工业自动化、通信、汽车电子以及医疗设......
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2025-04-11
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DS1314 3V、非易失控制器，带有锂电池监测器
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　　一、产品概述　　DS1314 3V 非易失控制器是一款采用3V供电的高性能非易失控制器芯片，集成了锂电池监测器。该产品主要面向需要在低功耗、环境变化较大以及电源不稳定情况下保持数据完整性的嵌入式系统。通过对内置锂电池状态的实时监测，系统可以在出现电池电压异常或电量不足时及时发出警报，并采取措施确保数据不丢失。产品设计基于先进的嵌入式......
DS13... 非易失控... 锂电池监...
2025-04-10
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DS1312非易失控制器，带有锂电池监测器
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　　一、引言　　在当前电子系统不断向智能化、低功耗、高可靠性方向发展的趋势下，非易失控制器和电池监测系统扮演着越来越重要的角色。DS1312非易失控制器作为一款集成了锂电池监测器的高性能器件，广泛应用于各类嵌入式系统、工业自动化、物联网设备、便携式仪器、医疗设备等领域。本文将详细介绍DS1312非易失控制器的基本原理、关键技术、系统组成、......
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2025-04-10
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意法半导体数字隔离器采用新型厚氧化物电流隔离技术，可提高性能和可靠性
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意法半导体（STMicroelectronics）的数字隔离器采用了新型厚氧化物电流隔离技术，这一技术显著提高了产品的性能和可靠性。以下是对该技术的详细分析：一、技术特点厚氧化物电流隔离：意法半导体的数字隔离器采用了6kV的厚氧化层进行电流隔离，这种技术相较于传统的光耦器件，在隔离效果和性能上有了显著提升。高速数据传输：以STISO621......
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