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1024k非易失SRAM
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DS1245Y 1024k非易失SRAM
DS1245Y 1024k非易失SRAM
　　一、引言　　在现代电子系统中，存储器件始终扮演着至关重要的角色。随着技术的不断进步，存储器件不仅需要满足高速读写、低功耗以及高集成度等要求，同时还要求在断电后能够长时间保存数据，这就催生了非易失性存储器（Nonvolatile Memory, NVM）的不断发展。DS1245Y 1024k非易失SRAM正是在这种背景下出现的一款具......
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DS1245AB 1024k非易失SRAM
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　　一、产品概述　　DS1245AB 1024K非易失SRAM是一款融合了高性能、低功耗、非易失性存储器技术的创新型存储芯片。该产品集成了静态随机存取存储器（SRAM）与非易失性存储功能，在断电状态下能够保持数据，既满足高速数据访问的要求，又提供断电保护机制。由于其独特的技术优势和可靠性，在现代电子系统设计中被广泛应用于通讯、计算机、工......
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DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器
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　　一、产品概述与背景　　DS1345W是一款专为高端嵌入式系统设计的3.3V非易失性SRAM芯片，内置高达1024k的存储容量，支持数据在断电状态下保持不丢失。这款芯片除了采用先进的低功耗设计和高可靠性制造工艺外，还集成了电池监测器功能，可以实时检测外部备用电池的状态，从而保障系统在电源切换或电压不足情况下稳定运行。　　在嵌入式系统、工......
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DS1245W 3.3V、1024k非易失SRAM
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1. 概述DS1245W是一款由Maxim Integrated（现为Analog Devices的一部分）推出的3.3V 1024k（1Mbit）非易失性SRAM（NVSRAM）。它在掉电时仍能保存数据，不需要外部电池支持，广泛应用于嵌入式系统、工业控制、数据记录仪和通信设备等领域。DS1245W采用SRAM和非易失存储技术结合的方式，......
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DS1345Y 1024k非易失SRAM，带有电池监测器
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　　产品概述　　DS1345Y是一款具有1024K容量的非易失性SRAM芯片，其独特之处在于内部集成了电池监测器，为系统提供了可靠的电源管理能力。该器件采用先进的半导体工艺，具有高速度、低功耗和超高可靠性等特点，在现代电子设备、嵌入式系统以及需要数据保持的特殊应用中得到了广泛应用。DS1345Y主要面向工业自动化、通信、汽车电子以及医疗设......
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