原标题：意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

　　此次合作的目标是意法半导体在未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术。

　　意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的200mm衬底制造中采用Soitec的SmartSiC技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。

　　“向200mm SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们加速了向系统和产品电气化的过渡。随着产品销量的上升，这对推动规模经济非常重要，“意法半导体汽车和分立器件业务部总裁Marco Monti表示。“我们选择了一种垂直整合的模式，以最大限度地提高我们在整个制造链中的专业知识，从高质量的基板到大规模的前端和后端生产。与Soitec技术合作的目标是继续提高我们的制造产量和质量。

　　“随着电动汽车的出现，汽车行业正面临重大颠覆。我们尖端的SmartSiC技术使我们独特的SmartCut™工艺适应碳化硅半导体，将在加速其采用方面发挥关键作用，“Soitec首席运营官Bernard Aspar说。Soitec的SmartSiC™衬底与意法半导体业界领先的碳化硅技术和专业知识相结合，将改变汽车芯片制造的游戏规则，树立新的标准。

　　SiC是一种颠覆性的化合物半导体材料，具有固有的特性，在电动汽车和工业流程等关键、高增长的功率应用中提供优于硅的性能和效率。它可实现更高效的电源转换、更轻、更紧凑的设计，并节省整体系统设计成本 - 这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。从150mm晶圆过渡到200mm晶圆将大幅提高产能，制造集成电路的有用面积几乎是其两倍，每个晶圆提供1.8-1.9倍的工作芯片。

　　SmartSi™是一种专有的Soitec技术，它使用Soitec专有的SmartCut™技术，将高质量SiC“供体”晶圆的薄层分开，并将其粘合在低电阻率“手柄”polySiC晶圆的顶部。然后，工程基板可提高器件性能和制造良率。优质SiC“供体”晶圆可以多次重复使用，从而显着降低生产所需的整体能耗。