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超级结晶体管
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种超级结晶体管及其形成方法。背景技术超级结（SuperJunction）结构是一种由一系列交替排列的P型半导体层和N型半导体层所构成的结构，而超级结MOS晶体管既是基于该超级结结构的一种半导体功率器件。所述超级结MOS晶体管是在垂直双扩散MOS（VDMOS，VerticalDouble-DiffusedMOS）晶体管的基础上发展而来的，除了具备所述垂直双扩散MOS晶体管所具有的优点之外，所述超级结MOS晶体管还具有导通电阻（Rdson）低、击穿电压（BV，...

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