原标题：意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗

意法半导体新推出的MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和开关功率损耗降低方面表现出色，以下是对该产品的详细介绍：

一、产品特点

1. 提高能效：

• MDmesh K6系列MOSFET通过改进多个关键参数，显著提高了能效。其RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，这意味着在相同的电流下，其导通电阻更低，从而减少了功率损耗。

2. 最大限度降低开关功率损耗：

• 该系列MOSFET的总栅极电荷(Qg)非常低，这有助于实现高开关速度和低损耗。在高频开关应用中，低Qg能够减少每次开关的能量损失，从而进一步降低整体功率损耗。

3. 低阈压设计：

• K6系列的阈压比上一代MDmesh K5更低，这使得其可以使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效。这一特性特别适用于零功耗待机应用，有助于延长设备的待机时间。

4. 高鲁棒性：

• 芯片上集成了一个ESD保护二极管，将MOSFET的整体鲁棒性提高到人体模型(HBM) 2级。这增强了产品的抗干扰能力和稳定性，提高了产品的可靠性和使用寿命。

二、应用领域

MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET特别适合基于反激式拓扑的照明应用，如LED驱动器、HID灯等。此外，它还适用于电源适配器和平板显示器的电源等应用场景。这些应用对功率密度和能效要求较高，而MDmesh K6系列MOSFET正好满足了这些需求。

三、市场反响

意大利固态照明创新企业TCI的首席技术官、研发经理Luca Colombo对该系列MOSFET表示了高度认可。他指出，MDmesh K6系列的样片在Rdson* 面积和总栅极电荷(Qg)性能方面表现出色，给他留下了深刻印象。

四、产品系列

目前，MDmesh K6系列已经推出了多款产品，如STD80N240K6（RDS(on)最高220 mΩ）、STD80N340K6（RDS(on)最高340 mΩ）和STD80N450K6（RDS(on)最高450 mΩ）等。这些产品以DPAK封装形式提供，并具备出色的性能和易用性。未来，意法半导体还将推出更多采用不同封装的MDmesh K6系列器件，以满足不同应用场景的需求。

综上所述，意法半导体的新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和开关功率损耗降低方面取得了显著成效，为照明、电源适配器和平板显示器等应用领域提供了高性能、高可靠性的解决方案。