中子照射半导体器
中子照射半导体器
相关文章 : 1篇
浏览 : 5次
本发明公开了照射装置及半导体器件制造方法,所述照射装置包括:激光源;偏振分光部,用于把从激光源出射的激光分成偏振方向彼此不同的第一线偏振光和第二线偏振光;光束分割部,用于将第一线偏振光或第二线偏振光分割成多条光束;四分之一波片阵列,其由用于把所述光束的一部分转换成右旋圆偏振光的多个第一四分之一波片和用于把所述光束的另一部分转换成左旋圆偏振光的多个第二四分之一波片构成,所述第一四分之一波片和所述第二四分之一波片在垂直于光轴的第一方向上交替地布置着;以及投影光学系统,用于把所述右旋圆偏振光和所述左旋圆偏振光聚集到被照射的照射面上.本发明能够将具有均匀强度分布的激光束照射至照射面上.
推荐产品
列表栏目