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Socionext 和合作伙伴发表半导体研究新成果

来源: 中电网
2021-09-08
类别:业界动态
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文章创建人 拍明芯城

原标题:Socionext 和合作伙伴发表半导体研究新成果

Socionext与其合作伙伴在半导体研究领域取得了多项新成果,这些成果不仅推动了半导体技术的发展,还为未来科技应用提供了有力支持。以下是对Socionext及其合作伙伴发表的新成果的概述:

1. 2nm多核CPU芯片研发计划

合作方:Socionext、Arm、台积电

研发内容:Socionext宣布与Arm和台积电合作,共同研发一款基于Chiplet技术的2nm多核CPU芯片。该芯片旨在满足超大规模数据中心服务器、5/6G基础设施、DPU以及边缘网络市场的需求,提供最大性能和最高效率。

技术特点

  • 制程工艺:采用台积电2nm制程工艺,提供卓越的性能、物理尺寸和能效。

  • 架构设计:基于Arm Neoverse CSS技术,可在单个封装内进行单个或多个实例化,并配备有IO和特定的定制芯片组,为多个目标应用提供灵活的解决方案。

  • 经济有效的升级路径:当新的芯片组可用时,支持经济有效的封装级升级路径。

预期成果:工程样品预计于2025年上半年发布,这款芯片将补足客户当前的SoC设计,并为系统架构师提供更高的设计自由度。

2. 半导体软误差研究

合作方:Socionext、高能加速器研究组织材料结构科学研究所、京都大学综合辐射与核科学研究所、大阪大学信息科学与技术研究生院

研究内容:Socionext与其合作伙伴共同研究了由宇宙射线介子和中子引起的半导体软误差之间的差异。这项研究首次成功证明了介子和中子在引起半导体器件软误差方面存在不同的特性。

研究方法:研究小组使用多种类型的量子束(包括负μ子束和正μ子束)对半导体器件进行照射实验,分析了μ子和中子在错误率的电源电压依赖性、多位错误的比率以及多位错误模式的特征等方面的差异。

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研究成果

  • 发现差异:μ子和中子在错误率的电源电压依赖性、多位错误的比率以及多位错误模式的特征方面存在明显差异。

  • 推动技术发展:该研究成果有望推动对于环境辐射引起的软错误的有效评估方法和对策的发展,促进相关技术的发展以有效解决包括μ介子在内的环境辐射引起的问题。

3. 车载毫米波雷达传感器研发

研发内容:Socionext推出了SC1260AR3系列60GHz车载毫米波雷达传感器,该产品采用时分复用(TDM-MIMO)处理方式,带有多个发射和接收天线,能精准检测汽车座舱中乘员的位置或移动,实现儿童存在检测(CPD)功能。

技术特点

  • 低功耗:相较于市面上的友商产品,SC1260AR3系列毫米波雷达传感器在0.1%占空比运行时功耗仅为0.72mW,能显著降低功耗至50%左右。

  • 高度集成设计:内置雷达信号处理单元(距离/角度/存在检测)、天线、RF电路、ADC、FIFO、SPI接口和智能电源控制定序器,可实现灵活的占空比控制,减少BOM成本。

  • 长距离检测:在MIMO模式下检测距离可以达到8米,non-MIMO模式下可达到14米的检测距离。

综上所述,Socionext及其合作伙伴在半导体研究领域取得了显著成果,这些成果不仅推动了半导体技术的发展,还为未来科技应用提供了有力支持。


责任编辑:David

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