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直通硅通孔
直通硅通孔
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一种直通硅穿孔制造方法包括:在硅板中蚀刻多个直通孔.将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上.然后,在直通孔中沉积金属导体.在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中,将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上.

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三星确实在积极开发具有8层TSV（直通硅通孔）的DDR5内存模块，这一技术在内存容量和性能上相较于DDR4内存有了显著提升。以下是对这一技术开发的详细解读：一、技术特点8层TSV设计：三星的DDR5内存模块采用了8层TSV设计，这种设计使得内存模块的容量能够达到DDR4内存的两倍。这意味着，在理论上，单条DDR5内存模块的容量可以达到非常......
DDR5... 薄晶圆处... 直通硅通...
2021-08-24
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