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高密度沟槽栅MOSFET
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一个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元,它包含一个被一源区域围绕的沟槽栅极,而此源区域被安置在衬底底部表面上的漏极区域之上的基体区域包围着.该MOSFET单元还包含一个埋设的沟槽多晶硅栅极导路,它电接触到该沟槽MOSFET的沟槽栅极.用作栅极导路的该埋设沟槽多晶硅栅极导路,以增加栅极传输面积并增加到栅极接触金属的接触面积以降低栅极电阻.

士兰微：2021 年上半年净利润 4.31 亿元，同比增长 1306.52%
士兰微：2021 年上半年净利润 4.31 亿元，同比增长 1306.52%
士兰微在2021年上半年的财务表现非常亮眼，具体表现为净利润的大幅增长。根据多家权威媒体和机构发布的信息，士兰微在2021年上半年实现了净利润约4.31亿元，同比增长了惊人的1306.52%。这一数据不仅彰显了士兰微在半导体行业的强劲发展势头，也反映了其在市场竞争中的优越地位。具体来说，士兰微在2021年上半年的营业收入约为33.08亿元......
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2021-08-17
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