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超薄片槽栅IGBT
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本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种具有埋层结构的槽栅型MOS。相比传统的槽栅型,本发明通过引入在示意图的x方向和y方向具有不同深度的P型体区,使得槽栅的下方仍为P型区域,降低了该结构的栅漏电容(Cgd)和栅源电容(Cgs)的比值,在x方向的倒梯形P型体区还改善了槽栅拐角区域的峰值电场。通过在外延层区域加入适当的反型埋层区域,引入了横向电场,有效地提高其耐压能力,加入的埋层结构使得槽栅下方的N‑外延层区域可以提高掺杂浓度,降低导通电阻。

士兰微：2021 年上半年净利润 4.31 亿元，同比增长 1306.52%
士兰微：2021 年上半年净利润 4.31 亿元，同比增长 1306.52%
士兰微在2021年上半年的财务表现非常亮眼，具体表现为净利润的大幅增长。根据多家权威媒体和机构发布的信息，士兰微在2021年上半年实现了净利润约4.31亿元，同比增长了惊人的1306.52%。这一数据不仅彰显了士兰微在半导体行业的强劲发展势头，也反映了其在市场竞争中的优越地位。具体来说，士兰微在2021年上半年的营业收入约为33.08亿元......
快恢复二... 超薄片槽... 高密度沟...
2021-08-17
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