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高压双极器件
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针对常规双极功率晶体管 (BPT)中存在的高频,高电流增益和高CE击穿电压间的固有矛盾,本文基于Kondo提出的GAT结构,利用刻槽淀积P+多晶硅基区的新工艺,研制了一 种高频高压双极性功率器件,并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究,实验获得了预期的效果.

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2021-07-20
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