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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。 固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。 对于这个问题，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。