原标题：为对抗三星、SK 海力士，传日本铠侠将砸1182亿新建3D NAND Flash厂

　　据日媒工业新闻报导，为了应对三星、SK 海力士等对手，以及云服务、5G带来的NAND Flash需求激增，传闻铠侠（Kioxia，前东芝半导体）计划在日本岩手县北上市工厂兴建3D NAND Flash新厂房，总投资额预估高达2兆日元（约合人民币1182亿元）。

　　报导指出，铠侠计划在北上工厂新设的第二厂房K2大小预估将达2020上半年开始进行生产的第一厂房K1的2倍。铠侠目前已对邻近K1东侧及北侧约15万平方公尺的土地进行整地工程，且也正协商有意取得邻近K1东南侧的土地，K2预计2022年春天动工兴建，2023年春天左右完工，数个月后开始生产3D NAND Flash。

　　据报导，K2所需的生产设备主要将从四日市工厂转移过来，因此总额2兆日元的投资，除了含K2厂房、附带设施，也含设备补充四日市工厂的费用。对K2生产设备投资照旧，会和合作伙伴西部数据（Western Digital，WD）共同负担。

　　报导指出，因产品市况尚未恢复，因此铠侠IPO（首次公开发行）计划将较原先规划推延，最快将等到2021年夏天以后。