原标题：为对抗三星、SK 海力士，传日本铠侠将砸1182亿新建3D NAND Flash厂

为对抗三星、SK 海力士等竞争对手，日本铠侠（Kioxia，原东芝半导体）确实计划投资巨额资金新建3D NAND Flash厂。以下是关于此计划的详细归纳：

一、投资计划概述

• 投资主体：日本铠侠（Kioxia）

• 投资金额：约2兆日元（约合人民币1182亿元）

• 投资目的：新建3D NAND Flash厂，以扩大产能并提升技术竞争力，对抗三星、SK 海力士等竞争对手。

二、新建厂房详情

• 厂房名称：K2

• 建设地点：日本岩手县北上市工厂

• 建设规模：K2厂房的规模预计是2020年上半年开始营运的K1厂房的2倍。

• 建设进度：

• 2022年春天：开始动工兴建。

• 2023年春天：预计完成厂房工程。

• 数个月后：开始生产3D NAND Flash。

三、生产设备与资金来源

• 生产设备：K2厂房所需的生产设备主要将从铠侠的四日市工厂（日本三重县）转移过来。

• 资金来源：铠侠计划与合作伙伴西部数据（Western Digital, WD）共同负担生产设备投资费用。此外，总额2兆日元的投资中，除了含K2厂房及附带设施的兴建费用外，也包含设备补充四日市工厂的费用。

四、市场竞争与技术发展

• 市场竞争：铠侠希望通过新建3D NAND Flash厂来扩大产能，并提升技术竞争力，以对抗三星、SK 海力士等竞争对手。

• 技术发展：随着云端服务、5G通讯等技术的不断发展，NAND Flash的市场需求持续增长。铠侠通过投资新建厂房和引进先进生产设备，旨在满足市场需求并保持技术领先地位。

五、其他相关信息

• IPO计划：由于市场行情回温缓慢，铠侠的IPO计划较原定时程出现延误，最快可能也要到2021年的夏天之后。

• 行业趋势：除了铠侠外，其他半导体厂商也在积极投资扩建产能。例如，英特尔计划投资200亿美元在亚利桑那州建设全新半导体工厂，台积电也打算在亚利桑那州投资120亿美元新设工厂。这些投资都将进一步推动半导体行业的发展和竞争。

综上所述，日本铠侠为对抗三星、SK 海力士等竞争对手，计划投资约1182亿元人民币新建3D NAND Flash厂。该计划将有助于提高铠侠的产能和技术竞争力，并满足市场需求。