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硅功率MOSFET为电路设计人员提供了许多优势，使其成为许多应用中的明显选择。它提供高开关速度和低导通电阻，与之前的双极晶体管不同，MOSFET不会受到热失控的影响。制造技术的进一步发展使得可以使用垂直配置，并联多个晶体管的设备，进一步降低了导通电阻。 在几十年的时间里，制造商对基本设计进行了改进，设置导通电阻和击穿电压的新标准。然而，这些参数通常需要在MOSFET设计中相互折衷。增加击穿电压的技术往往会推高导通电阻。因此，诸如绝缘栅双极晶体管（IGBT）等竞争器件已经取得了进展，其应用需要比MOSFET更高的击穿电压额定值。