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碳化硅器件
碳化硅器件
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在电力电子行业的发展过程中,半导体技术起到了决定性作用。其中,功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用,功率半导体器件直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来,以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色。功率双极性晶体管及晶闸管的问世,大大减小的电力电子设备的体积重量,同时提高了变换效率。为了满足更高工作频率及更高功率等级的要求,IR(International Rectifier)公司研发出首款功率MOSFET,接下来的二十年,功率半导体器件进入一个蓬勃发展的时期,很多新型的功率器件,比如IGBT、GTO、IPM相继问世,并且在相关领域内得到越来越广泛的应用。功率硅器件的应用已经相当成熟,但随着日益增长的行业需求,硅器件由于其本身物理特性的限制,已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。