您现在的位置： 首页 > 标签 > 三星
三星
三星
相关文章 : 47篇 浏览 : 1131次

三星半导体MZVL2512HCJQ-00$00/07固态硬盘介绍
三星半导体MZVL2512HCJQ-00$00/07固态硬盘介绍
三星半导体MZVL2512HCJQ-00$00/07固态硬盘（SSD）是一款针对高性能存储需求的固态硬盘产品，广泛应用于各类计算平台和数据存储环境。作为三星半导体系列中的一员，它结合了三星独特的存储技术、可靠的硬件设计以及优越的数据处理能力。本文将对该型号固态硬盘进行详细的介绍，涵盖其技术规格、工作原理、特点、优势以及在不同应用场景中的表......
三星半导... MZVL... 固态硬盘
2024-12-10
59
Samsung三星CL05A105KQ5NNNC贴片电容中文资料
Samsung三星CL05A105KQ5NNNC贴片电容中文资料
三星 CL05A105KQ5NNNC 是一种片式多层陶瓷电容器（MLCC），广泛应用于电子电路中。本文将详细介绍这种电容器的型号类型、工作原理、特点、应用和参数等方面的内容。厂商名称：Samsung三星元件分类：电容中文描述： 三星贴片电容，MLCC，精度：±10%容值：1uF额定电压：6.3V温漂系数(介质材料)：X5R材质英文描述： ......
Sams... CL05... 贴片电容
2024-06-25
33
三星在西安建厂：建厂背景、生产规模、技术创新和经济效益
三星在西安建厂：建厂背景、生产规模、技术创新和经济效益
摘要三星在西安建厂是一个重大的举措，对于中国半导体产业的发展具有重要意义。本文将从四个方面对三星在西安建厂进行详细阐述，包括建厂背景、生产规模、技术创新和经济效益。一、建厂背景三星作为全球知名的电子产品制造商，在中国市场具有广泛影响力。西安作为中国中部地区的重要城市，拥有良好的投资环境和优质人才资源。因此，选择在西安建立生产基地是符合三星......
三星
2023-10-31
53
三星赔款事件：赔款背景、赔款金额、影响与教训、未来展望
三星赔款事件：赔款背景、赔款金额、影响与教训、未来展望
摘要三星赔款事件是指三星电子公司因为其手机电池爆炸问题而被迫进行大规模召回，并向受影响的消费者支付巨额赔偿金。这一事件对于三星来说无疑是一个巨大的打击，但同时也给了该公司一个机会来重新审视其产品质量和服务体验。本文将从四个方面对三星赔款进行详细阐述。一、赔款背景在2016年，三星电子公司发布了Galaxy Note 7智能手机。然而不久之......
三星
2023-10-31
36
三星943nw通病：屏幕闪烁问题、色彩失真问题、无法开机问题、显示画面模糊问题
三星943nw通病：屏幕闪烁问题、色彩失真问题、无法开机问题、显示画面模糊问题
摘要三星943nw是一款常见的液晶显示器，然而在使用过程中存在着一些通病。本文将从四个方面对三星943nw的通病进行详细阐述，帮助读者更好地了解和解决这些问题。一、屏幕闪烁问题屏幕闪烁是三星943nw常见的通病之一。造成屏幕闪烁的原因有很多，可能是电源供应不稳定、驱动程序问题或者显示器内部故障等。针对这个问题，我们可以尝试重新插拔电源线、......
三星94...
2023-10-31
24
三星P2设计特点、性能指标、应用领域和市场前景
三星P2设计特点、性能指标、应用领域和市场前景
摘要三星P2是一款颇具创新性的元器件，其在多个方面都有出色的表现。本文将从四个方面对三星P2进行详细阐述，包括设计特点、性能指标、应用领域和市场前景。一、设计特点三星P2的设计特点主要体现在以下几个方面：首先，它采用了先进的制造工艺和材料，使得其具备更高的集成度和更小的尺寸。这使得它可以在各种紧凑空间中灵活应用。其次，三星P2还采用了独特......
三星P2
2023-10-31
28
三星机电CL高电容汽车mlcc的介绍、特性、及应用
三星机电CL高电容汽车mlcc的介绍、特性、及应用
　　三星机电CL高电容汽车mlcc是AEC-Q200合格，并提供小尺寸的高电容。这些0805小型组件具有X7R温度特性，温度范围为-55°C至125°C，额定电压范围为4V(DC)至35V(DC)。汽车CL高电容mlcc允许在ADAS soc附近密集放置组件，没有问题。设计师/用户可以在小空间内实现所需的组合，电容范围从1 μ F到4.......
三星机电 汽车ml...
2023-04-18
18
三星机电CL微型超高电容MLCCs的介绍、特性、及应用
三星机电CL微型超高电容MLCCs的介绍、特性、及应用
　　三星电磁CL微型超高电容mlcc提供22µF至100µFF电容范围(±20%公差)，额定电压6.3V(DC)。aec - q200合格的MLCCs具有X5R温度特性，意味着在-55°C到+85°C的温度范围内具有高容量效率。三星电磁CL微型高电容mlcc有0402和0805外壳尺寸可供选择。　　特性　　X5R温度特性，-55°C至+......
MLCC 超高电容 三星电磁
2023-02-15
42
三星通过积极的资本支出应对芯片低迷
三星通过积极的资本支出应对芯片低迷
　　三星芯片业务能否近期反弹?　　三星电子公司 做出了一个出人意料的激进决定，将资本支出保持在与去年相同的水平，无视与竞争对手一起撤回以减轻已经遭受重创的半导体行业压力的预期。　　芯片制造商一直在努力应对内存价格的历史性暴跌，在大流行驱动的产量开始增加几个月后，消费者减少了对小工具的购买。库存堆积如山，迫使两位数的价格下滑，抹去利润，迫使......
三星 三星电子
2023-01-31
10
三星保持芯片投资，不被8年低利润吓倒
三星保持芯片投资，不被8年低利润吓倒
　　　　2021 年 11 月 22 日，在美国纽约市曼哈顿的一家商店看到三星标牌。路透社/安德鲁·凯利/档案照片　　首尔，1月31日(路透社) - 韩国三星电子有限公司 (005930. 周二表示，今年没有削减芯片投资的计划，尽管全球经济疲软使该行业陷入十多年来最严重的衰退。　　该指引与缩减支出和产量的更广泛行业趋势背道而驰，引发了人......
三星
2023-01-31
11
三星推出业界首款速度高达7.2 Gbps的12纳米级DDR5 DRAM
三星推出业界首款速度高达7.2 Gbps的12纳米级DDR5 DRAM
三星推出的业界首款速度高达7.2 Gbps的12纳米级DDR5 DRAM具有多项引人注目的特点，以下是对其的详细介绍：技术规格：速度：这款DDR5 DRAM的最高速度达到了7.2 Gbps，意味着它可以在一秒钟内处理大约两部30GB的超高清电影。工艺：采用业界最先进的12纳米级工艺技术，相较于上一代产品，晶圆生产力提升了约20%。能效：与......
三星 12纳米 DDR5...
2022-12-22
9
泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的发布时间早于预期。
泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galax...
关于三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的发布时间早于预期的情况，可以参考以下详细分析：原计划发布时间：根据三星的常规发布策略，Galaxy S系列新机通常会在每年的年初发布。然而，在Galaxy S23系列的发布前，有多篇报道和传闻指出其可能会提前发布。提前发布的传闻：早在2022年......
三星 Gala... Gala...
2022-12-22
16
YMTC领先三星，美光在3D NAND方面受到挑战
YMTC领先三星，美光在3D NAND方面受到挑战
YMTC（长江存储）在3D NAND技术方面确实已经取得了显著的进展，并在某些方面对三星和美光等传统行业领导者构成了挑战。以下是对这一观点的具体分析和依据：技术突破：YMTC最近推出了一款232层QLC 3D NAND存储芯片，具有198Gb/mm²的比特密度，这是目前业界推出的商用NAND产品中最高的。这一技术突破展现了YMTC在3D ......
长江存储 3D N... 3D N...
2022-12-19
95
三星与NAVER合作开发超大规模AI芯片解决方案
三星与NAVER合作开发超大规模AI芯片解决方案
三星与NAVER合作开发超大规模AI芯片解决方案随着人工智能技术的迅速发展，AI芯片作为人工智能计算的核心驱动力，正在成为各行各业的创新关键。近期，三星与NAVER合作开发超大规模AI芯片解决方案的消息引起了广泛关注。本文将对这一合作项目进行介绍，并探讨相关品牌和型号。1.三星与NAVER合作背景三星电子作为全球领先的半导体制造商，拥有丰......
三星 NAVE... AI芯片
2022-12-08
124
印度尼西亚 2022 年第三季度智能手机出货量同比下降 21%
印度尼西亚 2022 年第三季度智能手机出货量同比下降 21%
印度尼西亚2022年第三季度智能手机出货量的确出现了同比下降21%的情况。这一数据来源于Counterpoint发布的月度印度尼西亚渠道份额追踪报告。该报告指出，由于宏观经济状况没有任何改善迹象，以及上一年第三季度新冠后首次解除城市封锁为市场注入了活力，导致本季度的出货量同比下降。具体来说，进入2022年第四季度，该机构预计宏观经济复苏会......
智能手机 OPPO 三星
2022-11-18
116
三星公布 1.4nm 工艺节点计划
三星公布 1.4nm 工艺节点计划
三星已经公布了其1.4nm工艺节点的计划。根据最近的搜索结果，三星在2024年6月14日举行的相关活动中，正式官宣了他们的半导体技术发展计划[1][2][3][4]。具体来说，三星计划于2025年开始量产2nm芯片，并预计在2027年推出1.4nm工艺。这次的计划覆盖了多个技术节点，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等版本......
三星电子 1.4n... 1.4纳...
2022-10-11
27
三星电机 CL 微型超高电容MLCC
三星电机 CL 微型超高电容MLCC
三星电机CL微型超高电容MLCC（Multilayer Ceramic Capacitors）是该公司生产的一种高性能、微型化的多层陶瓷电容器。以下是关于三星电机CL微型超高电容MLCC的详细信息和特点：产品概述：MLCC是一种起到储电后定量输送电“水坝”作用的被动元件，能够调节电路中电流的定量传输，有效防止元器件间出现电磁波干扰现象。三......
三星电机 微型超高... MLCC
2022-08-16
17
三星电子推出新款图像传感器ISOCELL
三星电子推出新款图像传感器ISOCELL
三星电子近期推出了新款图像传感器ISOCELL，这一系列传感器以其卓越的性能和创新能力，进一步巩固了三星在图像传感器市场的领先地位。以下是关于新款ISOCELL图像传感器的主要特点和详细信息：ISOCELL HP9：像素规格：作为业界首款2亿像素的长焦传感器，ISOCELL HP9采用1/1.4英寸的光学规格，拥有2亿个0.56微米大小的......
图像传感...
2022-05-18
7
三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的显示器和电视阵容
三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的显示器和电视阵容
三星宣布的首批支持HDR10+ Gaming的显示器和电视阵容是其在游戏显示技术方面的一个重要里程碑。以下是对这一阵容的详细解析：一、背景介绍HDR10+ Gaming是三星针对游戏领域推出的HDR10+标准的扩展版本，旨在提供更高的峰值亮度、自动低延迟与可变刷新率，以及更好的视频源与显示设备的适配性，从而带来更佳的游戏性能与视觉效果。这......
HDR1... 动低延迟... nvid...
2021-12-27
5
三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量
三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB...
三星宣布高性能PCIe 5.0固态硬盘开发成功，该硬盘在性能上取得了显著的提升，特别是在顺序读取速度和存储容量方面。以下是对该硬盘的详细分析：一、基本信息产品名称：三星PM1743固态硬盘接口类型：PCIe 5.0闪存技术：三星第6代V-NAND二、性能特点顺序读取速度：速度值：13000MB/s（或13GB/s，两者单位不同但数值相等）......
PM17... 企业服务... 千兆传输
2021-12-24
10
推荐产品
VAOL-S8SB4
VAOL-S8SB4
品牌:VCC
类别：LED照明
KPT06A14-18SF42
KPT06A14-18SF42
品牌:ITT CANNON
类别：集成电路
系统默认图标
CBMUD1201LAS8
品牌:COREBAI
类别：数字隔离器
系统默认图标
LS150-5
品牌:TDK-LAMBDA
类别：交流到直流转换器
Q12P1CXXY110E
Q12P1CXXY110E
品牌:APEM
类别：面板指示器/指示灯
列表栏目
基于STM32F103VET6+AD603+TSC2046的多路电压采集的设计与实现方案
工业控制
基于STM32F103VET6+AD60...
最简单DIY基于ESP8266的智能彩灯⑦（原理图+源码+教程+库）
消费电子
最简单DIY基于ESP8266的智能彩灯...
基于XL6019+LM358的升压恒流输出驱动LED方案
LED应用
基于XL6019+LM358的升压恒流输...
基于ESP8266的赛车仪表板（示意图+代码）
汽车电子
基于ESP8266的赛车仪表板（示意图+...
基于Nordic nRF52840无线键盘、鼠标物联网解决方案
消费电子
基于Nordic nRF52840无线键...
相关标签
深圳国际... ICZO... ELEX... 五一劳动... USB控... 以太网 放假通知 EIC 分立器件 继电器 上继电器 晶扬 云母电容... 云母电容... 云母电容 XCKU... 硬件加速... Xili... 开关三极... 1300...