聚焦 5G 应用创新,长电科技亮相 IC China 2020


原标题:聚焦 5G 应用创新,长电科技亮相 IC China 2020
一、展会背景与长电科技战略定位
IC China 2020(中国国际半导体博览会)作为中国半导体产业年度盛会,聚焦5G、AI、物联网等前沿技术。长电科技作为全球第三大、中国内地第一大芯片封测企业,以“5G赋能,智联未来”为主题,展示其在5G芯片封装领域的核心技术突破与行业解决方案,旨在推动5G终端、基站、物联网等场景的规模化落地。
二、长电科技5G应用创新技术亮点
5G射频前端模块封装(SiP)
为某头部手机厂商提供5G射频SiP模块,助力其旗舰机型实现全球5G频段覆盖。
5G智能手机、CPE(客户终端设备)、5G物联网模组。
采用高密度系统级封装(SiP)技术,将5G PA(功率放大器)、滤波器、开关等芯片集成至单一模块,体积缩小40%,功耗降低25%。
支持Sub-6GHz与毫米波双频段,满足全球5G频段兼容需求。
技术突破:
应用场景:
客户案例:
5G基站芯片封装(2.5D/3D封装)
单基站芯片封装成本降低30%,助力运营商加速5G网络部署。
5G宏基站、微基站、边缘计算服务器。
开发2.5D Interposer(中介层)与3D堆叠技术,实现5G基站芯片的高带宽、低延迟互连,数据传输速率提升3倍。
通过TSV(硅通孔)技术,将芯片厚度降低至50μm,散热效率提升50%。
技术突破:
应用场景:
行业价值:
5G物联网芯片封装(Fan-Out WLCSP)
长电科技5G物联网芯片封装出货量已超1亿颗,市占率达25%。
5G智能电表、工业传感器、车联网终端。
采用扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLCSP),将5G物联网芯片I/O密度提升至3000+,满足低功耗、小尺寸需求。
支持eSIM集成,实现物联网设备全球无缝漫游。
技术突破:
应用场景:
市场数据:
三、长电科技5G技术竞争力分析
技术指标对比
技术维度 长电科技方案 行业平均水平 封装密度(I/O/mm²) 3000+ 1500-2000 信号完整性(dB) ≤-30(高频段) ≤-25 散热效率(W/mK) 150 80-100 良率(%) 99.5% 98-99% 差异化优势
全产业链整合:从晶圆级封装到系统级测试,提供一站式解决方案,缩短客户研发周期30%。
定制化能力:支持5G芯片的异构集成(如HBM+逻辑芯片堆叠),满足AIoT设备差异化需求。
环保工艺:采用无铅化、低能耗封装技术,单颗芯片封装碳排放降低40%。
四、5G应用创新案例解析
案例1:5G智能手机射频前端模块
模块厚度仅0.8mm,功耗较竞品低18%,助力该机型首销破百万台。
采用双面SiP技术,将20颗芯片集成至5mm×5mm模块中;
通过电磁屏蔽层优化,降低高频信号干扰,提升通信稳定性。
客户需求:某手机厂商需在旗舰机型中集成全球5G频段,同时控制模块体积与功耗。
长电方案:
成果:
案例2:5G基站AI加速芯片封装
单基站AI算力提升4倍,封装成本降低28%,助力客户中标国内5G三期招标。
采用2.5D Interposer+HBM2E堆叠,实现1.2TB/s带宽;
通过晶圆级重构技术,将封装良率提升至99.8%。
客户需求:某通信设备商需提升基站AI推理性能,同时降低封装成本。
长电方案:
成果:
五、行业影响与未来展望
推动5G规模化商用
长电科技5G芯片封装技术已应用于全球超1亿部5G终端与20万个5G基站,加速5G从“可用”到“好用”的跨越。
引领封测技术升级
其2.5D/3D封装、Fan-Out WLCSP等技术成为行业标杆,倒逼日月光、安靠等竞争对手加大研发投入。
未来技术路线图
2021-2022年:量产Chiplet(芯粒)封装,支持5G芯片的模块化设计;
2023年:推出光互连封装技术,突破5G基站带宽瓶颈;
2025年:实现量子芯片封装预研,布局6G时代。
六、总结
长电科技在IC China 2020上的亮相,不仅展示了其在5G芯片封装领域的技术领导力,更通过高密度集成、低功耗设计、全产业链服务三大核心优势,为5G终端、基站、物联网等场景提供了可落地的解决方案。随着5G应用从消费电子向工业互联网、车联网等垂直领域渗透,长电科技的技术创新将持续赋能中国半导体产业,助力全球5G生态繁荣。
责任编辑:David
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