原标题：存储器IC占2018年半导体资本支出总数的53％

IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业在一年中首次在资本支出上花费超过1000亿美元。这一1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%。

下图显示，超过一半的行业资本支出预计用于内存生产 - 主要是DRAM和闪存 - 包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元)，相当于2013-2018复合年增长率为30%。

在所显示的主要产品类别中，预计DRAM / SRAM的支出增幅最大，但预计闪存将占据今年资本支出的最大份额。预计2018年DRAM / SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82%后出现41%的增长。预计2017年闪存的资本支出将在2017年增长91%后增长13%。

经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(以及新的中国内存创业公司进入市场) )，IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长。

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2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关

受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构 IC insight 调查报告指出，2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

报告中表示，之前在 2018 年 3 月份，IC insight 曾经预期 2018 年全年半导体的资本支出将成长 8%。如今，才不到一季的时间，IC insigh 就把预估值由原本的 8% 上调至 14%。这样看来，2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关，而且金额将比 2016 年足足成长 53%。

2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关

报告中进一步指出，近两年来始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星，虽然 2018 年还未公布全年的资本支出金额，但是一般相信，将不会超出 2017 年 242 亿美元的数字。不过，就目前的观察，三星仍在上紧发条不放松。

事实上，三星在 2018 年第 1 季的半导体资本支出达到 67.2 亿美元，较之前 3 季水平略高。但是，若相较 2016 年同期，则已经成长近 4 倍的规模。累计过去 4 季以来，三星半导体部门的资本支出已经达到 266 亿美元的金额。

IC insight 预期，2018 年三星半导体的资本支出将在 200 亿元上下，略低于 2017 年 242 亿美元。不过，因为 2018 年首季就有较之前略高的成长。因此，最后的结果很 可能将比预期的 200 亿美元来的高。

另外，因为 NAND Flash 及 DRAM 的市场需求强劲，韩国存储器大厂 SK 海力士预期也将在 2018 年增加资本支出至 115 亿美元，较 2017 年的 81 亿美元成长 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的资本支出，将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外，还要扩大中国无锡的 DRAM 工厂。清州工厂在 2018 年年底前将开始兴建，而中国无锡 DRAM 厂的扩建，也计划在2018年年底前动工，这时间将比原计划的 2019 年初开工要早几个月。