台湾供应链传来消息，DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存一直缺货到明年，许多客户货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。厂商指出，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键元件，虽然单价远比DRAM和NAND Flash低，但没它不行，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。

日前，由于受智能手机AMOLED新增需求、触控IC及驱动IC整合单芯片带动的NOR-Flash需求，加上全球NOR-Flash每月投片约仅约8.8万片，高度定制化与产能不易扩张的影响下，根据全球市场研究调查机构TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)日前研究报告指出，NOR-Flash供不应求的格局持续，而且预估2017年第3季NOR-Flash价格将上涨两成。不过，之后这样的情况，在当前NOR-Flash的市场价格破坏者兆易创新(Gigadevice)加强投片的情况下，恐怕将会有所改变。

根据DRAMeXchange日前的研究指出，观察全球NOR-Flash供给状况，目前全球两大供货商赛普拉斯半导体(Cypress)和美光(Mircon)，一方面在赛普拉斯确定逐步淡出NOR-Flash市场，赛普拉斯半导体转向为专注在车用和工规的市场。另外，美光也将专注在DRAM的生产之后，逐步推出NOR-Flash的市场经营，导致自2016年下半年以来，市场出现供不应求的现象。使得产品价格节节上扬，也进一步推升旺宏、华邦电以及兆易创新的市占率。

以目前营收为市占率计算基准来看，赛普拉斯市占率为25%，排名第一，旺宏市占率24%，排名居次，美光市占率18%，排名第三，之后才是华邦电与兆易创新。然而，在赛普拉斯与美光逐步退出NOR-Flash市场的情况下，其他3家厂商开始抢攻市场。

只是，一开始，在中国国家政府补贴经费给予武汉新芯提供产能的情况下，当时兆易创新的客户数不多，无法发挥产能上的优势。如今，在兆易创新有了客户，但是武汉新芯在有自己的营运考虑，也就是旗下12寸厂每月3万片的产能，三分之一用来进行逻辑IC代工，三分之二才进行NOR-Flash生产的情况下，武汉新芯既要服务兆易创新，又要服务其他厂商。这使得兆易创新的产能受到限缩，无法进一步补上市场的缺货缺口，使得日前NOR-Flash市场面临供不应求的情况。

不过，据了解，兆易创新当前的投片情况已经开始有所调整，也就是藉由在中芯与华力微上的增加投片，增加产能，来满足市场上的需求。消息人士指出，由于中芯目前的产能利用率较低，兆易创新自6月份开始就在中芯开始投片。而且数量从一开始的每月2000片，提升到当前8000片的数量，已经足成长了4倍数量，数量可观。此外，兆易创新跟华力微的合作方面，也已经正式开始投片。

而且，整体预估产能提升到5.5万片时，华邦电中科厂就全数满载。由于，华邦电强调，新增产能将全数生产NOR-Flash及部分NANDFlash的情况下，加上兆易创新的扩产，未来NOR-Flash的价格是不是还会持续有成长的趋势，恐怕会有很大的变量发生。

日前，力晶董事长黄崇仁宣布，因为看好NOR-Flash的市场发展，将重启NOR-Flash生产的计划。根据市场人士的指出，目前这方面似乎也已经有晶圆开始产出。不过，因为不同于过去力晶用于生产的90纳米工艺，当前要采用的为65纳米工艺。在工艺技术上有许多不同情况下，这批晶豪科投产的晶圆，相信只是一般的试产部分，距离真正量产的时间点恐还有一段时间。这部分对于未来市场的影响将会如何，还有待后续的观察。

此外，旺宏总经理卢志远卢志远预期，今年NOR-Flash市场将持续供不应求，由于价格持续上涨，目前采取配销模式，75纳米以上工艺产品约占第2季NOR产品线营收比重50%，强劲需求主要来自每个应用领域、及产品容量;旺宏今年第1季NOR-Flash全球市占率已达26%，居全球之冠，预估今年全年市占将挑战30%;另外，SLCNAND Flash今年也是供不应求，同样采取配销模式。因应客户端强劲需求，旺宏启动高端产能扩充计划，预计新产能每月将增加4800片，可望今年底产出，全数在12寸厂生产，低密度的产品则改由8寸厂生产。 

集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，三大内存今年创下历年最缺且涨势最久纪录，同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市，三大内存优先供货给苹果，非苹阵营也积极备货，厂商预期，三大内存下半年缺货比上半年更严重。

业界分析表示，DRAM、NAND/NOR Flash三大内存同缺，台湾厂商拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空，三家厂商正积极去瓶颈，提升产出，抢食缺货商机。

南亚科目前在林口有二座12寸厂，其中3A厂30纳米制程产品，有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计;全新的3An厂，今年导入20纳米制程后，5月取得客户验证，提前在今年第2季量产，目前良率相当好，预定今年底单月投片量达3万片。

华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片，预料年底可增至4.8万片，希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片，但估到5.5万片时，中科厂就全数满载。华邦电强调，新增产能将全数生产NOR Flash及部分NAND Flash，希望未来Flash产出量与DRAM相近。

三大内存创下同时缺货罕见记录

DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺，创下史上罕见同缺记录。 其中DRAM和NAND内存，更写下史上最长涨势。

内存业界表示，2008及2015年都出现过DRAM大涨，但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash产能会排挤，很少看到两大内存同涨。

这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨，主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，DRAM与NAND同时大涨，涨这么久，已写下史上最长纪录。三星电子在大中华区的授权分销商有：泰科源、深圳升邦电子、深圳市万瑞尔、爱施得、昆山锦腾贸易、成都欣诺通讯科技、深圳市科辉特电子等。SK海力士在大中华区的授权分销商有：超联科技集团、深圳升邦电子、深扬电子(深圳)、深圳市茂凯科技等。除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美国二大供货商淡出，加上OLED面板必须导入作为储存保持OLED面板颜色饱和度参数，以及物联网及车用半导体等新应用大增，市场供应到明年都处于缺货。

近期全球DRAM龙头韩国三星电子通知相关电子委托制造厂，计划调涨第4季移动内存合约价，涨幅近一成，反映DRAM供货短缺仍未纾解，加上地缘政治紧张的预期心理，涨势可望延续至今年第4季。

不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰，但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响，DRAM缺货不仅短期难解，价格涨势也超乎预期。

稍早集邦调查，7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%，虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产，美光也计划在未来几个月增产，弥补这段时间生产线影响的缺口。 但据调查，美光桃园N2厂这次受损及报废的12寸DRAM晶圆估计达5万片，且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM，给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会，并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季，调涨移动内存售价。

图2：三大记忆体缺货原因，图来自台湾经济日报

【相关信息】内存缺货副作用 IC厂遭波及

内存今年来供应吃紧，产品价格不断高涨，影响手机等终端市场需求趋缓，连带影响相关IC设计厂营运表现，不仅第3季恐旺季不旺，部分效应甚至可能延续到年底。

动态随机存取内存(DRAM)今年上半年创下史上最旺的淡季纪录，同时出现罕见的储存型闪存(NAND Flash)与编码型闪存(NOR Flash)同步供应吃紧情况。

因内存短缺及产品涨价影响，包括手机、固态硬盘与机顶盒等多项终端市场纷纷出现需求趋缓情况，受影响的厂商也遍及手机芯片、电源管理芯片与射频芯片厂。

如手机芯片厂联发科与电源管理芯片厂矽力杰，都感受到上半年智能手机需求不旺的情况。 矽力杰也因终端客户拿不到NAND Flash，上半年固态硬盘产品销售受到影响。

网通芯片厂瑞昱副总经理黄依玮也说，因NANDFlash供应遭遇乱流，供需紧张，暂时对SSD营运表现不会有期待。

由于内存缺货情况短期仍难以舒缓，相关缺货效应恐将蔓延到第3季，甚至可能延续到年底。 联发科共同CEO蔡力行即表示，因零组件供应尚未平衡，第3季智能手机并没有明显季节性需求提升。

射频芯片厂宏观7月因内存价格高涨，加上现货供应吃紧，机顶盒制造厂客户递延拉货，营收滑落至新台币8316万元，创下今年单月业绩次低纪录。

客户需求何时能够回温，宏观表示，目前仍难以掌握，应视内存供应情况而定。

矽力杰董事长陈伟预期，NAND Flash短缺问题，恐要到明年上半年NAND Flash厂3D NAND Flash良率提升后，才可望解决，届时固态硬盘市场需求才得以恢复。

随着内存缺货、涨价已影响终端需求减缓，业者表示，在终端厂商不愿再高价抢料，态度转趋观望下，能否有助缓解内存供应吃紧情况，值得观察。