igbt工作原理和作用

IGBT（绝缘栅双晶体管）是一种常用于功率电子器件中的半导体器件，具有结合了功率MOSFET和双晶体管晶体管的特性。其工作原理和作用如下：

1. 工作原理：

• IGBT由三个区域组成：N型沟槽道、P型基区和N型沟槽区。当施加正向电压时，NPN结会导通，而PNP结则主要，从而形成导通通道。同时，通过控制感应电压，可以调节导通通道的电阻。

• 当感应施加正向电压时，感应和发射极之间的正向形成使得P型基区中的电子被注入到N型基区，导电通道，使整个器件处于导通状态。

• 当感应施加负向电压时，感应和发射极之间的逆向会阻止电子注入，从而使导通通道断开，器件易处于状态。

2. 作用：

• IGBT在功率控制电路中起着开关的作用。通过控制反馈电压，可以控制IGBT的导通和预置，从而控制电路中的功率流动。

• 在电力变换器、变频器、交流调速器等领域，IGBT被广泛应用，用于控制和调节电能的传输和转换。

• 由于其具有高效率、高速度和低开关损耗等优点，IGBT在电力电子领域中替代了传统的双极型晶体管（BJT）和处理负型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

总的来说，IGBT的工作原理是基于逆变控制，其作用是用于电力电子器件中的电流控制和电力转换。