原标题：Bourns 模型 BID 绝缘栅双极晶体管

　　Bourns 模型 BID 绝缘栅双极晶体管

　　Bourns BID 型绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了 MOSFET 栅极和双极晶体管的技术，专为高电压/高电流应用而设计。BID 型 IGBT 采用先进的沟槽栅场截止技术，可更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压并减少开关损耗。IGBT 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，采用 TO-252、TO-247 和 TO-247N 封装。这些热效率高的组件提供较低的热阻，使其成为适用于开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用的 IGBT 解决方案。

　　特征

　　BIDD05N60T

　　600V、5A、低集电极-发射极饱和电压

　　沟槽栅场截止技术

　　针对传导进行了优化

　　坚固的 TO-252 封装

　　符合 RoHS 标准

　　BIDW20N60T

　　600V、20A、低集电极-发射极饱和电压

　　沟槽栅场截止技术

　　针对传导进行了优化

　　低开关损耗

　　TO-247 封装

　　符合 RoHS 标准

　　BIDW30N60T

　　600V、30A、低集电极-发射极饱和电压

　　沟槽栅场截止技术

　　针对传导进行了优化

　　TO-247 封装

　　符合 RoHS 标准

　　BIDW50N65T

　　600V、50A、低集电极-发射极饱和电压

　　沟槽栅场截止技术

　　针对传导进行了优化

　　TO-247 封装

　　符合 RoHS 标准

　　BIDNW30N60H3

　　600V、30A、低集电极-发射极饱和电压

　　沟槽栅场截止技术

　　低开关损耗

　　快速切换

　　TO-247N 封装

　　符合 RoHS 标准

　　应用

　　开关模式电源 (SMPS)

　　不间断电源 (UPS)

　　功率因数校正 (PFC)

　　逆变器(仅限 BIDW50N65T)

　　感应加热(仅限 BIDW30N60T 和 BIDNW30N60H3)

　　步进电机(仅限 BIDW20N60T