安森美半导体的1700-V EliteSiC MOSFET和EliteSiC肖特基二极管为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的运行。1700V NTH4L028N170M1 MOSFET 为高功率工业系统带来了更高的击穿电压，而两个 1700V 雪崩额定肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)允许设计人员在高温下实现稳定的高压操作。

　　EliteSiC MOSFET 的最大栅源电压范围为 -15 V 至 +25 V，适用于快速开关应用。在 1200 V/40 A 的测试条件下，MOSFET 可实现 200 nC 的栅极电荷。据安森美半导体称，与接近300 nC的同等竞争设备相比，这是市场领先的。低栅极电荷对于在快速开关、高功率可再生能源系统中保持高效率至关重要。

　　EliteSic 肖特基二极管的击穿电压额定值为 1700 V，可改善二极管的最大反向电压和峰值重复反向电压之间的裕量。这些器件在反向漏电性能方面也表现出色，+25°C时的最大反向电流仅为40 μA，+175°C时的最大反向电流仅为100 μA。 安森美半导体报告称，竞争器件在+25°C时的额定电流通常为100 μA。

　　这 NTH4L028N170M1 1700V、28mΩ 平面精英碳化硅 MOSFET 采用 TO-247-4LD 封装。无论是 NDSH25170A 1700-V、25-A 精英碳化硅肖特基二极管和 NDSH10170A 1700-V、10-A 精英碳化硅肖特基二极管采用 TO-247 封装。

　　安森美

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