原标题：onsemi SiC 技术增加单次充电的 EV 续航里程

onsemi的SiC（碳化硅）技术在增加单次充电的电动汽车（EV）续航里程方面发挥了重要作用。以下是关于这一技术的详细解释和归纳：

1. SiC技术的优势：

• SiC作为一种宽禁带半导体材料，在带隙能量、击穿场强、热导率等参数方面具有显著优势。这些特性使得SiC系统能够以更高的频率运行而不损失输出功率，从而优化系统效率。

• SiC的优异热导率允许更好的散热性能，有助于减少散热系统的体积和重量，进一步提升了系统的效率。

1. 在EV中的应用：

• 在EV的主驱逆变器中，SiC技术可以显著提高从DC到AC的电源转换效率。这意味着车辆可以使用更小的电池来驱动更远的距离，从而增加了续航里程。

• SiC MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC二极管等SiC功率器件在EV的OBC（车载充电器）中也有广泛应用。这些器件具有更低的导通损耗和开关损耗，有助于提高充电效率，缩短充电时间。

2. 数字与实例：

• 使用SiC技术的OBC可以实现更快的充电速度。例如，通过EV充电站的高压大电流充电方式（DC充电），SiC技术的OBC可以实现50kW的快速充电，充电时间缩短至30分钟至60分钟。

• 在高电压（如900V及以上）的应用中，SiC MOSFET相较于传统的Si MOSFET具有更低的成本和更好的性能。这使得SiC技术在三相11kW OBC等高端应用中具有广阔的市场前景。

3. 结论：

• onsemi的SiC技术通过提高系统效率和优化散热性能，显著增加了EV的单次充电续航里程。随着SiC技术的不断发展和优化，未来EV的续航里程有望实现更大的提升。