原标题：ST和Exagan携手开启GaN发展新章节

ST（意法半导体）和Exagan携手开启GaN（氮化镓）发展新章节，主要体现在以下几个方面：

一、背景与意义

氮化镓（GaN）作为一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，因其独特的物理特性（如3.4 eV的能隙和1,700 cm²/Vs的电子迁移率）而备受关注。相比硅基材料（能隙1.1 eV，电子迁移率1,400 cm²/Vs），GaN具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，能够处理更大的负载，提高能效，并降低物料清单成本。这一特性使得GaN在高功耗、高密度系统、大数据服务器和计算机等领域具有巨大的应用潜力。

二、ST与Exagan的合作

1. 股权收购：

• ST在2020年3月收购了Exagan的多数股权，这一举措标志着ST对GaN技术的长期承诺和投入。Exagan是一家拥有独特外延层生长技术的法国创新型企业，也是少数能够在8英寸（200毫米）晶圆上大规模部署和生产GaN功率器件的公司之一。

2. 技术整合与产品开发：

• 通过此次收购，ST不仅获得了Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验，还增强了其在汽车、工业和消费级高频大功率GaN领域的技术积累。ST和Exagan共同推进了GaN技术的研发和应用，为市场带来了更高效、更可靠的功率器件解决方案。

3. 产品推出：

• 2020年9月，ST推出了业内首个600V系统级封装MASTERGAN1。该系列产品采用半桥拓扑集成一个栅极驱动器和两个增强式GaN晶体管，为设计高成本效益的笔记本电脑、手机等产品电源提供了新的选择。这是市场上首个且唯一的集成两个增强式GaN晶体管的系统级封装产品。

三、GaN技术的优势与挑战

1. 优势：

• 高效能：GaN功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力，适合高功耗、高密度系统的应用需求。

• 低成本：尽管初期投资可能较高，但GaN器件的物料清单成本更低，长期使用下来具有成本优势。

• 广泛应用：GaN器件在服务器、电信、工业、电动汽车和个人电子等多个领域都有广泛的应用前景。

2. 挑战：

• 设计复杂度：GaN器件的特性要求开发人员在设计时考虑更多因素，如栅极驱动、电压和电流转换速率等。

• 供应链问题：部分工业产品制造商可能因担心潜在的PCB重新设计或采购问题而避免使用GaN。

四、未来展望

随着ST和Exagan在GaN技术领域的深入合作，GaN器件的大规模应用将加速推进。更大的晶圆尺寸和更高的规模经济效益将进一步降低生产成本，提高产品竞争力。同时，随着工程师对GaN技术了解和掌握程度的提高，GaN器件将在更多领域得到广泛应用，为行业带来革命性的变化。

总之，ST和Exagan携手开启GaN发展新章节，不仅推动了GaN技术的研发和应用，也为行业带来了新的机遇和挑战。随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，GaN器件的未来发展前景将更加广阔。