原标题：ST 和Exagan开启GaN发展新篇章

ST（意法半导体）和Exagan开启GaN（氮化镓）发展新篇章，主要体现在以下几个方面：

一、技术合作与并购

1. 并购背景：

• ST在2020年3月签署了协议，收购法国GaN供应商Exagan的多数股权。这一举措是ST在功率化合物半导体领域长期承诺的延续，旨在推动GaN技术在汽车、工业和消费市场的应用。

• Exagan是一家在外延层生长技术方面具有独特专业知识的创新型企业，也是少数能够在8英寸（200毫米）晶圆上大规模部署和生产GaN功率器件的公司之一。

2. 技术融合：

• 通过并购Exagan，ST获得了其在外延工艺、产品开发和应用方面的专业知识，进一步巩固了ST在GaN技术领域的地位。

• ST正在将Exagan的技术融入其现有晶圆厂，无需投入巨资采购专门的制造设备，从而提高了生产效率和产能。

二、产品创新与推出

1. MASTERGAN系列：

• ST在并购Exagan后，推出了MASTERGAN系列产品，这是业内首个也是唯一一个带有两个增强型（E-mode）GaN晶体管的系统级封装产品。

• MASTERGAN1是该系列的首款产品，采用600V系统级封装，在半桥拓扑中集成了一个栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管，为笔记本电脑和智能手机等提供了具有成本效益的电源解决方案。

2. 产品优势：

• GaN器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，与同尺寸的硅基器件相比，能够处理更大的负载，能效更高，物料清单成本更低。

• GaN器件在高频、高温和高功率密度应用中表现出色，适用于高功耗高密度系统、大数据服务器和计算机等领域。

三、市场应用与前景

1. 市场接受度提高：

• 随着GaN技术的不断成熟和成本的不断降低，越来越多的工程师和制造商开始接受并采用GaN器件。

• GaN器件频繁地出现在日常用品中，如手机充电器等终端产品，用户也开始探索和揭秘GaN技术的好处。

2. 未来展望：

• ST和Exagan的合作将加速GaN技术的大规模应用，推动GaN器件在消费、工业、电信和汽车等领域的广泛应用。

• 通过整合双方的技术和资源，ST将能够制定明确的未来十年产品开发路线图，为GaN技术的长期发展奠定坚实基础。

四、面临的挑战与解决方案

1. 设计挑战：

• GaN器件的特性要求开发人员在设计时需要考虑更多的因素，如栅极驱动、电压和电流转换速率、噪声源和耦合布局等。

• ST和Exagan通过提供全面的技术支持和培训，帮助工程师更好地掌握GaN器件的设计和应用。

2. 供应链问题：

• 某些工业产品制造商可能会因担心潜在的PCB重新设计或采购问题而避免使用GaN器件。

• ST和Exagan通过提高产品良率和规模经济效益，以及提供可靠的供应链支持，帮助制造商克服这些障碍。

综上所述，ST和Exagan的合作为GaN技术的发展开启了新的篇章，通过技术创新、产品推出和市场应用等方面的努力，推动了GaN技术在各个领域的广泛应用和发展。