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三星西安 NAND 工厂二期将在年内完工并投产,每月 13 万片晶圆

来源: 中电网
2021-08-06
类别:业界动态
eye 5
文章创建人 拍明

原标题:三星西安 NAND 工厂二期将在年内完工并投产,每月 13 万片晶圆

  据韩国媒体 BusinessKorea 消息,三星电子位于中国西安的工厂二期将于年内完工。该公司今年上半年已经投资了超过 4 万亿韩元(约 230 亿元人民币)用于安装设备,计划 2021 年内全面投产。

  中国有关部门的数据表示,三星电子上半年投资的金额约占计划投资的 108.5%,比原计划多了约 20 亿元人民币。

  三星电子西安工厂是该公司目前唯一的海外 NAND 闪存芯片生产基地。三星于 2017 年便决定在西安建设第二家工厂,以应对全球日益增长的半导体需求。在这之后,三星电子便一直对该工厂进行投资,目标是赶在今年年内投产。2017 年,三星投资了 70 亿美元,2019 年 12 月追加投资了 80 亿美元。

  三星电子在今年第二季度电话会议上表示,未来全球年度 NAND 闪存需求增长预计会达到 40% 左右,高于 DRAM 内存芯片的需求。此外,外媒还报道称三星正考虑追加对西安 NAND 工厂的投资,由此前的 150 亿美元增加到 200 亿美元左右(约 1292 亿元人民币)。

  外媒表示,待三星二期工厂建成以后,其 NAND 芯片年产能预计会达到每月 13 万片晶圆。如果加上一期工厂的数据,月产能将高达 25 万片晶圆。截至目前,三星 NAND 芯片的全球市场份额达到了 33%,位居榜首。

  2021 年上半年,三星电子在韩国以及海外的基础设施投资额达到了 23.3 万亿韩元(约 1314.12 亿元人民币),其中第二季度投资额为 13.6 万亿韩元,创下了季度投资的最高纪录。



责任编辑:David

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