南大光电自研ArF光刻胶再获突破,已通过逻辑芯片企业55nm产品认证
原标题:南大光电自研ArF光刻胶再获突破,已通过逻辑芯片企业55nm产品认证
在半导体制造上,国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备,光刻胶也是重要的一环。
5月31日晚间,南大光电发布公告,控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。
受该利好消息影响,今天南大光电股价开盘大涨,截至收盘股价上涨11.17%,收于35.19元/股。
资料显示,随着芯片跨入纳米级,半导体光刻胶的波长也在不断缩短,已经由紫外宽谱逐步发展到g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、ArF Immersion 浸润式,以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平。
从国内的光刻胶市场来看,低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%,KrF光刻胶自给率不足5%,而高端的ArF光刻胶完全依赖进口,是国内半导体的卡脖子技术之一。
虽然南大光电的ArF光刻胶现在通过的是55nm工艺认证,但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广,可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺,广泛应用于芯片制造(如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等)。
责任编辑:David
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