原标题：ASML 将于今年推出透光率超 90% 的 EUV 防护膜，提高光刻机效率

ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography）确实曾计划在某一时期推出透光率超过90%的EUV（极紫外）防护膜，以提高光刻机的效率。以下是对此事的详细归纳：

一、防护膜的特性与用途

• 透光率：ASML计划推出的这款EUV防护膜透光率可达90.6%，相较于之前版本的防护膜（透光率约78%），这是一个显著的提升。

• 用途：此防护膜主要用于安装在EUV光路和晶圆制造空间之间，主要功能是防尘，以保护光刻机内部组件免受污染。

二、研发背景与市场需求

• 技术挑战：EUV光刻技术是现代半导体制造中的关键工艺之一，但由于EUV光线的特殊性质（难以被反射和折射），制造过程中的损耗率非常大。因此，提高防护膜的透光率成为了一个重要的技术挑战。

• 市场需求：三星和台积电等半导体制造巨头对高透光率的防护膜有迫切需求，因为使用这种防护膜可以提高生产效率，并降低晶圆表面被污染的风险。他们曾表示，只有当防护膜的透光率超过90%时，才会考虑将其应用到生产线上。

三、研发与生产计划

• 研发合作：这款防护膜是ASML与Teradyne（泰瑞达）联合研发的，由日本三井化学代工生产。该防护膜已经通过了400瓦的测试，证明了其在实际应用中的可靠性。

• 生产计划：ASML曾计划在某一时期开始生产这款高透光率的EUV防护膜，以满足市场需求。

四、对光刻机效率的影响

• 效率提升：高透光率的防护膜能够减少EUV光线在传输过程中的损耗，从而提高光刻机的效率。这有助于半导体制造商提高生产效率和产品质量，降低生产成本。

• 技术革新：随着EUV光刻技术的不断发展，高透光率的防护膜将成为未来光刻机的重要组成部分。ASML的这一创新将推动整个半导体制造行业的进步和发展。

然而，需要注意的是，虽然ASML曾计划推出这款高透光率的EUV防护膜，但具体的推出时间和市场应用情况可能因各种因素而有所变化。因此，在获取最新信息时，建议直接参考ASML的官方公告或相关报道。

此外，ASML还在不断研发新一代的光刻机技术，如NA EUV光刻机，以支持更小尺寸的芯片制造。这些新技术的推出将进一步推动半导体制造行业的发展和进步。