原标题：韩媒：三星李在镕亲征荷兰 ASML，与台积电争抢 EUV 光刻机设备

一、事件核心：三星董事长李在镕赴ASML总部，争夺EUV光刻机优先供货权

事件背景：

• EUV光刻机：极紫外光刻机（Extreme Ultraviolet Lithography）是7nm及以下先进制程芯片制造的核心设备，全球仅荷兰ASML公司能够生产；

• 产能稀缺：ASML年产量仅约60台，单台价格超1.5亿美元，且需提前2-3年预订；

• 竞争格局：台积电占据ASML约60%的EUV设备订单，三星仅获约20%，导致其在先进制程上落后于台积电。

李在镕此行目的：

• 争取优先供货：要求ASML将2024-2025年部分EUV设备订单向三星倾斜；

• 技术合作深化：推动ASML与三星联合研发下一代High-NA EUV光刻机（计划2025年量产）；

• 地缘政治博弈：借助荷兰与韩国的盟友关系，对抗美国对华半导体出口管制对ASML产能分配的影响。

类比说明：
EUV光刻机相当于芯片制造领域的“光刻机中的核武器”，三星与台积电的争夺如同“两军抢夺战略武器”，直接决定未来3-5年的技术话语权。

二、技术解析：EUV光刻机为何成为“兵家必争之地”？

1. EUV光刻机的核心价值

• 制程突破：实现7nm、5nm、3nm等先进制程的关键，传统DUV光刻机无法完成；

• 成本降低：单次曝光完成多层电路印刷，减少工艺步骤（如台积电5nm制程比7nm减少30%掩膜版）；

• 性能提升：芯片晶体管密度提升80%，功耗降低30%（如苹果A16芯片性能较A14提升40%）。

2. ASML的垄断地位

• 技术壁垒：EUV光刻机需集成10万个精密零件，供应链涉及5000家供应商；

• 产能限制：ASML年产能仅60台，扩产需投资20亿美元/年；

• 客户优先级：台积电（占ASML订单60%）、英特尔（20%）、三星（15%）形成“三国杀”。

3. 高NA EUV光刻机的未来

• 技术迭代：High-NA EUV将分辨率提升至8nm（当前EUV为13nm），支持2nm及以下制程；

• 成本飙升：单台价格预计超4亿美元，三星需提前锁定产能以维持技术领先。

三、行业影响：三星与台积电的“军备竞赛”

1. 三星的战略意图

• 追赶台积电：台积电已安装超80台EUV设备，三星仅30台，导致3nm制程良率差距（台积电>70%，三星<50%）；

• 客户争夺：吸引高通、英伟达等客户转移订单（如三星计划2024年量产3nm GAA工艺）；

• 政府支持：韩国政府承诺提供1万亿韩元补贴，支持三星扩大EUV设备采购。

2. 台积电的应对策略

• 产能绑定：与ASML签订2023-2025年优先供货协议，确保每年新增20台EUV设备；

• 技术护城河：提前布局High-NA EUV测试线，计划2025年量产2nm芯片；

• 地缘优势：美国亚利桑那州工厂可规避部分出口管制，吸引苹果等客户。

3. ASML的平衡术

• 政治风险：需同时满足美国（要求限制对华出口）、欧盟（本地化生产）和客户（三星、台积电）的需求；

• 产能分配：2024年计划生产65台EUV，其中台积电35台、英特尔15台、三星10台、其他5台；

• 技术开放：向三星开放High-NA EUV联合研发，换取其支持荷兰半导体产业政策。

四、地缘政治与供应链风险

1. 美国对华出口管制的影响

• ASML受限：2023年起禁止向中国出口EUV设备，DUV设备也面临限制；

• 产能释放：原计划销往中国的10台EUV设备转向三星、台积电，但需重新谈判价格与交付周期；

• 反噬效应：中国加速光刻机国产化（上海微电子28nm DUV即将量产），长期或削弱ASML垄断地位。

2. 韩国的“半导体自立”战略

• 政策扶持：2022年通过《K-半导体产业带法案》，提供260亿美元税收优惠；

• 本土化目标：计划2030年将EUV光刻机零部件国产化率从10%提升至50%；

• 风险对冲：与日本东京电子合作开发光刻胶等材料，减少对ASML供应链依赖。

3. 全球半导体格局重构

• 三国鼎立：美国（设计）、东亚（制造）、欧洲（设备）形成新三角关系；

• 技术分裂：先进制程设备与材料可能形成“西方联盟”与“中国体系”两大阵营；

• 成本上升：EUV设备涨价、物流延迟等因素将推高芯片价格（预计2024年涨价10%-15%）。

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五、未来展望：EUV光刻机之战的胜负手

1. 短期（2024-2025年）

• 三星能否突围：若获得ASML新增15台EUV订单，3nm良率有望提升至60%，威胁台积电地位；

• 台积电防御战：通过High-NA EUV量产2nm芯片，巩固高端市场话语权。

2. 中期（2026-2030年）

• 技术代差：High-NA EUV普及后，未掌握该技术的厂商将被挤出先进制程竞争；

• 中国破局：若上海微电子等企业突破28nm DUV技术，可能倒逼ASML放宽对华出口。

3. 长期（2030年+）

• 新光刻技术：电子束光刻（EBL）、纳米压印（NIL）等技术可能替代EUV；

• 供应链重构：半导体产业向东南亚、印度等地区分散，降低地缘风险。

六、结论：EUV光刻机——半导体战争的“原子弹”

李在镕亲征ASML，本质是三星在技术主权争夺战中的关键一役。这场博弈的输赢，将决定：

1. 全球半导体话语权：三星能否从“代工厂”升级为“技术定义者”；

2. 地缘政治筹码：韩国能否在中美竞争中保持战略自主；

3. 产业链安全：全球半导体供应链是否会走向“碎片化”。

最终启示：
EUV光刻机之战不仅是商业竞争，更是国家科技实力的象征。对于中国而言，加速光刻机国产化、突破“卡脖子”技术，是避免未来被彻底排除在全球半导体产业链之外的关键。