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安森美
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安森美
ONSEMI
安森美半导体有限公司推动能效创新,帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合,具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案,能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序,在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。
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onsemi STR-NCV8163-NCP163-EVK评估工具的介绍、特性、...
onsemi STR-NCV8163-NCP163-EVK评估工具的介绍、特性、及应用onsemi STR-NCV8163-NCP163-EVK评估工具是一款专为评估NCV8163和NCP163系列250mA超低噪声和高PSRR XDFN4封装LDO(低压差线性稳压器)而设计的评估套件。这些LDO提供了从1.2V至5.3V的固定输出电压,...
32
2022-07
onsemi STR-ACF-12V100WPSU-GEVB Eval电路板的介...
onsemi STR-ACF-12V100WPSU-GEVB评估电路板是一款专为AC-DC电源转换设计的评估板,它基于高性能的AC/DC电源解决方案,具有多项显著特性和广泛的应用场景。介绍STR-ACF-12V100WPSU-GEVB评估电路板是onsemi公司推出的一款100W、12V输出的AC-DC电源转换评估板。它采用了NCP156...
30
2022-07
onsemi STR-NCP3231-EVK评估工具的介绍、特性、及应用
onsemi STR-NCP3231-EVK是一款评估套件,专为支持Strata硬件评估生态系统而设计。该评估套件通过可配置的NCP3231 25A稳压器,为用户提供了一个无缝的硬件评估体验。特性可配置的稳压器:STR-NCP3231-EVK的核心是可配置的NCP3231稳压器,支持广泛的输入电压范围和输出电压调节。简单易用的UI控制:直...
15
2022-07
onsemi STR-NCV48220-LDO-CP-GEVB评估板的介绍、特性...
onsemi的STR-NCV48220-LDO-CP-GEVB评估板是用于评估NCV48220性能的专门设计的硬件平台。NCV48220是一款极低静止电流(150mA)的LDO(低压差线性稳压器)稳压器,集成了电池电压电荷泵升压转换器,特别适用于需要电池电压下降事件期间(如启动)仍具有完整功能的汽车应用。特性超低静止电流:NCV48220...
66
2022-06
onsemi汽车开发工具包的介绍、特性、及应用
onsemi汽车开发工具包是为汽车和工业应用设计的,旨在帮助工程师在开发过程中验证和优化其设计。这些工具包通常包含硬件板卡、软件工具、参考设计和文档,以支持从原型设计到最终产品验证的整个过程。特性硬件多样性:onsemi汽车开发工具包通常包括多种硬件板卡,如电源管理板、电机控制板、通信接口板等,以满足不同应用的需求。集成度高:这些工具包中...
9
2022-06
onsemi STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB评估板的介绍、特性、...
onsemi STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB 评估板是一款用于评估 onsemi NCV8164A 可调低压差(LDO)稳压器的性能和功能的工具。以下是该评估板的介绍、特性及应用:介绍:STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB 评估板设计用于方便用户对 NCV8164A 稳压器进行测试和评估。它提供了一个完整的电路布...
5
2022-06
onsemi NCD57201和NCV57201半桥门驱动器的介绍、特性、及应用...
onsemi(安森美半导体)的NCD57201和NCV57201是两款高性能的半桥栅极驱动器,专为驱动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)而设计。这两款驱动器结合了非隔离式低侧栅极驱动器和电隔离式高侧或低侧栅极驱动器,能够在半桥配置中直接驱动两个IGBT,提供高效的功率转换和可靠的开关功能。特性电气特性:工作电压:VDD/VBS电源范围高达20...
9
2022-05
onsemi AXM0F343超低功耗Sub-GHz无线SoC的介绍、特性、及应...
onsemi AXM0F343是一款为低功耗和远程物联网(IoT)应用设计的超低功耗Sub-GHz无线片上系统(SoC)。它结合了经过现场验证的窄带AX5043射频收发器和高性能Arm Cortex-M0+微控制器(MCU),为开发者提供了单芯片无线解决方案。特性射频收发器特性:频率范围:支持从27MHz到1050MHz的可编程载波频率,...
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2022-04
onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用
onsemi(安森美)M3S 1200V碳化硅MOSFET的介绍、特性及应用一、介绍onsemi(安森美)推出的M3S 1200V碳化硅(SiC)MOSFET是该公司最新一代的碳化硅功率器件,专为提高电动汽车(EV)和能源基础设施应用的效率而设计。该系列产品不仅继承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的优势,还针对特定应用进...
71
2022-03
ON Semiconductor 1200 V碳化硅(SiC) mosfet的介...
安森美半导体(ON Semiconductor)的 1200 V 碳化硅(SiC)MOSFET 具有以下介绍、特性及应用:介绍:这是安森美半导体推出的一款高性能功率半导体器件,采用了先进的碳化硅技术。特性:低导通电阻:减少功率损耗,提高能源转换效率。高温工作能力:能够在较高的温度环境下稳定运行。高开关速度:实现快速的导通和关断,减小开关损...
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2022-02
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