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安森美半导体有限公司推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。公司提供种类全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序，在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。

onsemi NCV8189高精度LDO稳压器的介绍、特性、及应用

onsemi NCV8189高精度LDO稳压器的介绍、特性、及应用 Onsemi NCV8189高精度低差(LDO)稳压器是0.5A器件，提供低噪声，低静态电流，下一代高PSRR和Power Good开路集电极输出。NCV8189稳压器允许调整输出电压低至0.6V和优秀的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于4.7µF输入和输出陶瓷电容器。onsemi NCV8189 LDO稳压器专为满足RF/敏感模拟电...

4 2023-12

onsemi NCV7710门模块驱动(锁驱动)的介绍、特性、及应用

onsemi NCV7710门模块驱动(锁驱动)的介绍、特性、及应用　　onsemi NCV7710门模块驱动(锁驱动)是一个强大的驱动ic设计的汽车车身控制系统。NCV7710用于控制车辆车门上的锁电机。，利用单片全桥驱动级。onsemi NCV7710通过具有帧内响应的24位SPI接口进行管理。　　特性　　工作范围5.5V至28V　　两个高侧和两个低侧驱动器连接成半桥- 2半桥负载= 6A;+25...

82 2023-04

onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MO... 　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ...

32 2023-04

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及... 　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1...

5 2023-04

onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块的介绍、特性、及应用

onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块的介绍、特性、及应... 　　onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块是高密度的三电平NPC Q2Pack集成电源模块。这些电源模块结合了高性能igbt和坚固的反并行二极管。NXH400N100H4Q2F2电源模块具有具有现场停止技术的高效沟槽，低开关损耗降低了系统功耗，模块设计提供了高功率密度。这些电源模块具有低电感式布局、低封装高度、结...

5 2023-04

NCP51560隔离双通道栅极驱动器的介绍、特性、及应用

NCP51560隔离双通道栅极驱动器的介绍、特性、及应用　　onsemi的NCP51560隔离双通道栅极驱动器分别具有4.5 A/9 A的源峰值和汇聚峰值电流。它们专为快速切换到驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关而设计。NCP51560提供短而匹配的传播延迟。两个独立的5 kV(RMS) (UL-1577等级)电隔离门驱动器通道可用于任何可能配置的两个低侧，两个高侧开关，或...

11 2023-03

SiC器件将击穿电压扩展到1700V

SiC器件将击穿电压扩展到1700V 　　安森美半导体的1700-V EliteSiC MOSFET和EliteSiC肖特基二极管为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的运行。1700V NTH4L028N170M1 MOSFET 为高功率工业系统带来了更高的击穿电压，而两个 1700V 雪崩额定肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)允许设计人员在...

29 2023-01

onsemi 位置传感器加快工业应用的上市时间

onsemi 位置传感器加快工业应用的上市时间安森美（onsemi）的位置传感器，特别是其创新的双电感旋转位置传感器NCS32100，确实为工业应用带来了显著的上市时间加速。以下是关于这一点的详细解释：高精度与高转速的结合：NCS32100不仅结合了电感式编码器的可靠优势，还融合了中高端光学编码器通常具有的高精度与高转速特性。在6,000RPM（每分钟转数）的速度下，NCS32100...

37 2022-11

onsemi SiC 技术增加单次充电的 EV 续航里程

onsemi SiC 技术增加单次充电的 EV 续航里程 onsemi的SiC（碳化硅）技术在增加单次充电的电动汽车（EV）续航里程方面发挥了重要作用。以下是关于这一技术的详细解释和归纳：SiC技术的优势：SiC作为一种宽禁带半导体材料，在带隙能量、击穿场强、热导率等参数方面具有显著优势。这些特性使得SiC系统能够以更高的频率运行而不损失输出功率，从而优化系统效率。SiC的优异热导率允许更好的散...

11 2022-11

ON Semiconductor NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 40 V功率mosfet的介绍、特性、及应用

ON Semiconductor NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 4... ON Semiconductor的NTMFS5C4xx系列是一款40V单N通道功率MOSFET，专为需要高性能、低功耗和紧凑封装的应用而设计。该系列MOSFET采用特定的封装类型（如DFN），具有优良的电气性能，非常适合在高电压、大电流的应用中使用。特性：低导通电阻：NTMFS5C4xx系列具有低导通电阻，能够减少导通损耗，提高能效。低栅...

10 2022-11

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