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安森美
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安森美
安森美半导体有限公司推动能效创新,帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合,具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案,能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序,在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。
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安森美半导体FFSx0665B-F085 650V SiC肖特基二极管的介绍、特...
安森美半导体FFSx0665B-F085 650V, 6A碳化硅肖特基二极管采用了提供卓越开关性能和更高可靠性的技术。FFSx0665B-F085 SiC二极管具有温度无关的开关特性,无反向恢复电流,以及优异的热性能。其他的好处包括最高的效率,更快的操作频率,增加的功率密度,减少EMI,减少系统尺寸和成本。该FFSx0665B-F085 ...
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2021-07
安森美半导体FFSP0665B 650V 6A SiC肖特基二极管的介绍、特性、...
安森美半导体FFSP0665B 650V 6A碳化硅肖特基二极管采用了提供卓越开关性能和更高可靠性的技术。FFSP0665B SiC二极管具有温度无关的开关特性,没有反向恢复电流,以及优异的热性能。其他的好处包括最高的效率,更快的操作频率,增加的功率密度,减少EMI,减少系统尺寸和成本。FFSP0665B 650V, 6A SiC肖特基二...
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2021-07
安森美半导体电子熔断器的介绍、特性、及应用
安森美半导体电子熔断器(熔断器)提供全集成的解决方案,提供过流、过压、过温、反极性和涌流保护。ON Semiconductor提供保险丝,在不同额定电流下保护3.3V到12V的各种功率轨道。NIS5x2x系列12V熔断器额定电流为8A至12A,而5V NIS6x50熔断器系列额定电流为1A至3A,用于电信、云、存储系统、消费、工业和汽车领...
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2021-07
安森美半导体1700V碳化硅(SiC)二极管的介绍、特性、及应用
安森美半导体1700V碳化硅(SiC)二极管采用新技术提供优越的开关性能和更高的可靠性相比硅。该二极管具有无反向恢复电流、温度无关的开关特性和优异的热性能。系统的优点包括高效率、快速工作频率、增加功率密度、减少电磁干扰、减小系统尺寸和成本。特性易于并联大浪涌电流电容最大结温+175°C无反向恢复/无正向恢复更高的开关频率低正向电压(VF)...
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2021-06
安森美半导体NCV7718B/C十六进制半桥驱动器的介绍、特性、及应用
安森美ON Semiconductor NCV7718B/C十六进制半桥驱动由12个DMOS电源驱动组成,配置为6个半桥,可实现3个独立的全桥操作。每个输出驱动器提供最大550mA直流负载和2A浪涌能力。NCV7718B/C提供专门为汽车和工业运动控制应用设计的保护功能。NCV7718B/C具有独立的控制和诊断功能。该装置可在正向、反向、...
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2021-06
安森美半导体Strata开发工作室的介绍、特性、及应用
安森美ON Semiconductor Strata Developer Studio是一个云连接的开发平台,它是一个无缝、个性化和安全的环境,可以与ON Semiconductor technologies进行评估和设计。Strata提供了一个与评估板和参考设计一起工作的环境,将硬件文档、产品信息、设计和应用说明以及性能数据直接发送到桌...
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2021-06
基于安森美半导体单片控制器实现电源参考电源的设计方案
家庭和办公应用中的xDSL调制解调器通常采用外部交流-直流(AC-DC)适配器供电。从大多数人的使用习惯来看,这些适配器一直插在电源插座上,持续从交流主电源消耗着电能。据估计,通过适配器的电能中有高达25%是在待机(空载)时消耗的。基于这个原因,AC-DC适配器在设计之初就必须考虑到在待机模式下要保持极低的能耗。 除了待机能耗要尽可...
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2021-06
解构物联网核心要素,2021贸泽电子技术创新主题周首期直播正式开启
专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 宣布将于6月至11月开启“2021贸泽电子技术创新主题周”系列直播活动,首期直播将以“物联网”为专题,特邀来自ams, Molex, Murata, 安森美半导体, Silicon Labs, TE Connectivity等国际原厂制...
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2021-06
安森美650V SiC肖特基二极管的介绍、特性、及应用
安森美650V碳化硅(SiC)肖特基二极管为硅基器件提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。这些SiC肖特基二极管具有无反向恢复电流、温度无关开关和优异的热性能。该系统具有效率高、工作频率快、功率密度大、EMI低、系统体积小、成本低等优点。特性易于并联大浪涌电流电容最大结温175°C无反向恢复/无正向恢复更高的开关频率低正向电压(V(F))正...
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2021-06
安森美NxHL080N120SC1 n通道SiC mosfet的介绍、特性、及应...
安森美NxHL080N120SC1上,n通道SiC mosfet是1200V, 80毫欧mosfet,提供卓越的开关性能和高可靠性。这些mosfet提供低开启电阻,并采用紧凑的芯片尺寸,以确保低电容和低栅电荷。NxHL080N120SC1 mosfet具有高效率、快速工作频率、高速开关、增加功率密度、降低EMI和减小系统尺寸。这些mosf...
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