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品牌: SLKOR (萨科微)
库存: 365
产品分类: 射频用FET/MOSFET
描述: MOS管 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 导通电阻(Max):7.5Ω Vgs(Max):±20V 封装:SOT-23
起订量: 1
递增量: 1
最小包装: 1
批次: 17/06/21
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品牌: TWGMC (台湾迪嘉)
库存: 15114
产品分类: 射频用FET/MOSFET
描述: N-Channel Enhancement ModeField Effect Transistor
起订量: 1
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最小包装: 3000
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批次: null
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品牌: LGE (鲁光)
库存: 35
产品分类: 射频用FET/MOSFET
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
起订量: 1
递增量: 1
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批次: null
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¥ 0.13091 |
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品牌: LEIDITECH (雷卯)
库存: 30
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
起订量: 1
递增量: 1
最小包装: 1
批次: null
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¥ 0.136104 |
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