恒捷供应链
2N7002
品牌： LGE
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
数量梯度
单价
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1 + |
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￥ 0.13091 |
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1 + |
＄ 0.018123 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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交货地：
香港 (6工作日)
内地 (3工作日)
库存 35
最小包装：
1
批次：
null
购买数量：
起订量 1 / 递增量 1
购买金额：
￥
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