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III类管
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阳离子II类管和III类管哪个更适合做电子器件？
阳离子II类管和III类管哪个更适合做电子器件？
一、核心结论：III类管全面胜出，II类管仅适用于特定场景直接答案：III类管（III-V族化合物半导体）更适合做电子器件，因其高频、高压、高速性能及工艺成熟度远超II类管（II-VI族化合物半导体）。II类管仅在长波红外探测和特定紫外波段发光领域具有不可替代性。二、关键性能对比：III类管的技术碾压优势性能指标III类管（以GaN为例）......
III类...
2025-04-29
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阳离子II类管和III类管有什么不同？
阳离子II类管和III类管有什么不同？
一、分类基础：阳离子族系与晶体化学键II类管（II-VI族化合物半导体）阳离子来源：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）阴离子来源：第VI族元素（S、Se、Te、O等）键合特性：离子键主导（如Zn-Se键），阳离子与阴离子电负性差异大（如Zn电负性1.65，Se电负性2.55），导致晶格振动强、电子迁移率低。晶体结构：多为闪锌矿或纤锌......
阳离子I...
2025-04-29
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什么是阳离子II类管和III类管？
什么是阳离子II类管和III类管？
一、分类依据：阳离子族系与晶体结构II类管（II-VI族化合物半导体）阳离子：第II族元素（Zn、Cd、Hg、Mg等）阴离子：第VI族元素（S、Se、Te、O等）典型材料：ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnO键合特性：以离子键为主（如Zn-Se键），晶格常因离子半径差异导致失配，易产生缺陷。能带结构：直接/间接带隙混合（如ZnSe为直......
阳离子I...
2025-04-29
5
II类管和III类管的特点和用途是什么？
II类管和III类管的特点和用途是什么？
一、核心特点对比对比维度II类管（II-VI族化合物半导体）III类管（III-V族化合物半导体）材料体系ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnO等（阳离子为第II族元素）GaAs、InP、GaN、AlGaAs等（阳离子为第III族元素）键合方式离子键为主（如Zn-Se键），晶格失配大，易产生缺陷共价键为主（如Ga-As键），晶格匹配性好......
III类...
2025-04-29
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III类管和II类管之间有什么区别？
III类管和II类管之间有什么区别？
一、分类依据与基本概念化合物半导体分代规则II类管：阳离子为第II族元素（如Zn、Cd、Hg）与第VI族元素（如S、Se、Te）组成的化合物半导体器件，典型材料包括ZnSe、CdTe、HgCdTe等。III类管：阳离子为第III族元素（如Al、Ga、In）与第V族元素（如As、P、N）组成的化合物半导体器件，典型材料包括GaAs、InP、......
III类...
2025-04-29
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HEMT管和III类管有什么区别？
HEMT管和III类管有什么区别？
一、概念与范畴界定HEMT（高电子迁移率晶体管）依赖2DEG导电，无需反型层，电子迁移率极高（如GaN HEMT的2DEG迁移率可达2000 cm²/V·s以上）。适用于高频（毫米波）、高压、高功率场景。III-V族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、AlGaN/GaN异质结）。典型结构：AlGaAs/GaAs（第一代HEMT）、I......
HEMT...
2025-04-29
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