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安派瑞PSMN071-100NSE n通道ASFET专为继电器更换、浪涌管理和电池管理应用而设计。该ASFET包括一个增强的安全操作区域(SOA)，用于优越的线性模式操作。PSMN071-100NSE n沟道ASFET提供低漏源导通状态电阻，具有低I(2)R导通损耗。该ASFET的最大漏源电压为100V，最大漏源电流为9.8A，最大总功耗......
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2024-03-06
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安派瑞PSMNx n沟道mosfet封装在高效、节省空间的LFPAK56封装中。这些mosfet是雪崩级的。PSMNx n沟道mosfet支持175°C的最高结温。这些mosfet符合欧盟rohs标准。PSMNx n沟道mosfet的峰值焊接温度为260°C，存储温度范围为-55°C至175°C。典型的应用包括DC- DC转换器和无刷直流......
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2024-03-04
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安派瑞BJT dfn封装功率双极晶体管的介绍、特性、及应用
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　　安派瑞BJT dfn封装型功率双极晶体管外形小巧，可减少约75%的电路板空间，具有更大的设计灵活性。这些双极晶体管具有降低寄生电感和电容的特点，具有改进的低热阻，从而实现更高的可靠性。BJT组件非常适合空间有限的应用场合。应用包括移动设备、可穿戴设备、汽车传感器和摄像头模块。　　特性　　外形小巧，节省约75%的电路板空间，并允许更多......
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2023-07-07
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