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SMU仪器
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【技术大咖测试笔记系列】之十：在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量
【技术大咖测试笔记系列】之十：在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量
在当今的电力电子领域，高压半导体器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件正逐渐变得更加实用。这些器件虽然性能卓越，但也带来了诸多挑战，包括栅极驱动要求等。因此，对高压半导体器件进行准确的击穿电压和漏流测量显得尤为重要。二、高压半导体器件的特性与挑战碳化硅（SiC）器件栅极电压（Vgs）要求高：SiC器件在负偏置电压时会关闭，因此需......
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2021-12-20
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