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碳化硅功率晶体
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本实用新型公开了一种碳化硅功率晶体管,目的在于,能够降低器件开态电阻,提升功率特性,具有实用性强优点,结构所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极,P型SiC衬底,N型SiC缓冲层,N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层,N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层,N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极,沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区,P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触,位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极.

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2021-11-02
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