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全环绕栅极晶体管
全环绕栅极晶体管
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本揭示案描述了形成环绕栅极场效应晶体管的方法,用于形成半导体结构的技术,此半导体结构具有被配置为通道部分的多个半导体条.在半导体结构中,扩散中断结构在栅极结构形成之后形成,使得邻近扩散中断结构的半导体条的结构完整性不会被随后的栅极形成制程损害.扩散中断从上表面向下延伸,直到相邻通道部分的所有半导体条被扩散中断截断