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GAA架构
GAA架构
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GAA(Gate-all-around)架构是周边环绕着Gate 的FinFET 架构。照专家观点,GAA 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸进一步微缩更有可能性。相较传统FinFET 沟道仅3 面被栅极包覆,GAA 若以纳米线沟道设计为例,沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。