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目前，为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的lGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路(HVIC)棚驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计——与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”棚驱动器便最为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。 为了理解dV/dt感生开通现象，我们必须考虑跟IGBT结构有关的电容。图1显示了三个主要的IGBT寄生电容。集电极到发射极电容C，集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容CGE。